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三星发布下一代AI内存技术,全球存储进入新一轮扩产周期
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(来源:财闻)

AI 发展强化先进存储芯片及上游设备需求长期逻辑,HBM 需求爆发推动存储进入新一轮扩产周期,建议关注半导体资本开支主线。

截至 8 月 5 日 10 点 48 分,上证指数涨 0.91%,深证成指涨 0.77%,创业板指跌 0.08%。贵金属、电子化学品、小金属等板块涨幅居前。

ETF 方面,科技 ETF 易方达(159807)涨 3.21%,成分股中微公司(688012.SH)涨超 10%,盛美上海(688082.SH)、北方华创(002371.SZ)、三环集团(300408.SZ)、生益科技(600183.SH)、华润微(688396.SH)涨超 5%,兆易创新(603986.SH)、海光信息(688041.SH)、瑞芯微(603893.SH)、同花顺(300033.SZ)等上涨。

消息面上,三星电子在美国加州 " 未来内存与存储 " 大会上集中展示面向 AI 时代的下一代内存技术,包括超 400 层 V10B V-NAND 原型、垂直堆叠式高带宽内存 zHBM 及 zNAND-O 架构。其中 V10B V-NAND 采用晶圆键合架构,存储密度较前代提升约 58%,读写速度与输入输出性能均得到改善。这一技术进展强化了 AI 发展对先进存储芯片及上游半导体设备需求的长期逻辑,直接催化了半导体设备板块的市场情绪。

浙商证券表示,截至 8 月 3 日,EpochAI 统计全球 AI 芯片累计出货等效算力约 25.9MH100e。最大供应商:Nvidia 累计约 18063kH100e,其次 GoogleTPU 系列约 4837kH100e,之后 Amazon(1021k)、AMD(1252k)、华为(708k)构成第二梯队。主力芯片中,Blackwell 代 B300 累计出货约 7088kH100e(出货约 2805k 颗)超越 H100(4317kH100e)成为存量最大单品,B200(5953kH100e)同步快速爬坡,单芯片等效算力为 H100 的 2.53 倍。当周 AI 芯片出货格局延续 Nvidia 主导(累计占比约 70%)、Blackwell 加速替代 Hopper 的趋势,自研芯片(TPU/Trainium)份额保持稳定(累计占比约 23%)。

东吴证券表示,AI 驱动 HBM 需求爆发,DRAM 供需持续偏紧,全球存储进入新一轮扩产周期。AI 训练及推理需求持续增长,推动 GPU、ASIC 等 AI 芯片出货量快速提升,同时单芯片 HBM 容量、堆叠层数及带宽持续升级,HBM 需求呈现量价齐升趋势。我们测算,全球 HBMwafer 需求将由 2024 年的 2.9 万片 / 月增长至 2028 年的 44.2 万片 / 月,年均复合增速超过 90%。由于 HBM 持续挤占传统 DRAM 晶圆产能,AI 对存储的挤出效应未来两年内仍难缓解,全球 DRAM 供需仍将维持紧平衡,国内外存储厂商扩产需求具备较强持续性。

华鑫证券表示,根据 TrendForce,2026 年全球九大云端服务供应商(CSP)总资本支出将同比大涨约 90% 至 8867 亿美元,2027 年将进一步扩大至约 1.3 万亿美元(同比 +49%),高基期下增速收敛并非投资趋缓。2026 年 AI 服务器出货年增幅度从 28% 上调至近 31%。北美五大 CSP(谷歌、亚马逊、Meta、微软、甲骨文)合计占比近 90%,各自资本支出大多翻倍;中国大陆 CSP(字节跳动、腾讯、阿里、百度)合计同比大涨超 80%,字节跳动投入力度最大。展望 2027 年,产业增长有望从以 GPU 扩张为主,转向 AI 服务器、液冷散热、先进封装、高速互联、电源和内存等基础设施全面升级,AI 推理、AgenticAI、自研 ASIC 和新一代模型持续推升算力需求。

科技 ETF 易方达(159807.SZ)跟踪中证科技 50 指数,布局中国科技龙头核心资产,前五大权重股包括中际旭创恒瑞医药寒武纪、海光信息、中芯国际

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