快科技 8 月 19 日消息，据 TrendForce 报道，随着英伟达新一代 Vera Rubin 平台出货逐步提升，其存储需求效应已从 HBM 延伸至 NAND 闪存领域。

市场数据显示，TLC NAND 闪存现货价格自 6 月触及低位后持续反弹，本周报价较上周上涨 4.97%，较三周前累计涨幅达 11.6%。

尽管英伟达绝大部分 TLC NAND 供应通过长期协议锁定，但平台放量带来的实际需求仍对现货市场形成传导压力，推动价格连续上行。

此前，三星已与英伟达在通用 DRAM、HBM 及晶圆代工领域建立合作，现进一步将协作扩展至 NAND 闪存。据悉，三星已向英伟达大批量供应第 9 代 V?NAND 闪存，并积极推进第 10 代 V?NAND 量产，以满足英伟达 CMX 架构的相关存储需求。

与此同时，铠侠今年推出新款 CM10 系列 PCIe 6.0 SSD，首次搭载第十代 BiCS FLASH TLC 闪存，专为 CMX 架构设计。

该产品顺序读取性能较前代提升约 92%，随机读取性能提升约 85%，并支持直接冷板液冷散热，在高性能计算场景下具备显著优势。

整体来看，英伟达 AI 平台对存储生态的拉动正从 HBM 向 NAND 纵深扩散，原厂供应格局与产品迭代节奏亦随之加速调整，NAND 市场有望在 AI 算力扩张周期中持续受益。