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HBM 的竞争，正在悄悄换战场。过去几年，市场谈论 HBM，关注的几乎都是 SK 海力士、三星和美光：谁的 DRAM 制程更先进，谁能堆到 12 层、16 层，谁的 TSV 和封装良率更高，以及谁最终进入英伟达的供应链。
但到了 HBM4 和 HBM4E，这门生意里正在出现一批过去并不显眼的新角色——晶圆代工厂。
近日，据韩媒及 DIGITIMES 等报道，SK 海力士正在考虑将 Intel Foundry 引入 HBM4E 供应链，作为 HBM Base Die 的第二代工来源，以降低对台积电的依赖并改善供应弹性。无论 Intel 最终能否拿下订单，背后透露出的产业变化已经非常清晰：从 HBM4 开始，一颗 HBM 已经越来越离不开先进逻辑制程。
真正改变游戏规则的，是 HBM 最下面那颗过去不太受关注的芯片——Base Die。
HBM 越来越不像内存了
要理解为什么 HBM 会变成晶圆代工生意，必须先看 HBM4 这个关键的技术分水岭。
在 HBM3E 及更早的技术代际中，HBM 的结构相对清晰：上层是多层 DRAM 堆叠（Core Die），最底下是一颗 Base Die。过去，这颗 Base Die 主要承担物理支撑、TSV（硅通孔）过孔引出以及基础的信号路由。由于功能单一，像存储三巨头（SK 海力士、三星、美光）用自家的 10nm 级 DRAM 工艺就能顺手把它做了。
但 HBM4 发生了一些重要变化。
一方面，接口密度物理翻倍。HBM4 的总线接口宽度从 1024-bit 直接翻倍至 2048-bit，在此基础上，英伟达在 Rubin 平台上更将单 Pin 速率拉高至 11Gbps 以上。要在极其微小的芯片面积内挤入翻倍的 TSV 和 PHY（物理层）电路，传统 DRAM 节点的布线密度和金属层数已触及物理极限。
另一方面，逻辑功能深度下沉。为了追求极致的能效与超低延迟，GPU 与 ASIC 厂商开始要求将存储控制器、DFT（可测试性设计）电路，甚至是特定算法的计算模块直接集成到 Base Die 中。
SK 海力士在官网中也写道，「在 HBM4 中，逻辑芯片的作用日益凸显。HBM4 的研发方向是提升基础芯片的性能，增强 HBM 堆叠与逻辑芯片之间的连接性，同时降低功耗。」
Base Die 已经开始从一颗相对简单的芯片，变成一颗复杂的 Logic Base Die。这就撞上了存储原厂的工艺壁垒：存储原厂的 Fab 基本不具备生产高性能逻辑芯片的 12nm、5nm 乃至更先进工艺线，两者并不是同一种制造逻辑。因为 DRAM 制造追求的是存储单元密度和成本，而复杂逻辑电路需要的是逻辑晶体管性能、布线密度以及先进 EDA 设计能力。
当越来越多逻辑被放进这颗 " 内存 " 时，一门过去属于存储厂商的生意，也正在悄悄变成一门晶圆代工生意。于是，晶圆代工厂开始登场。
2024 年，SK 海力士与台积电宣布合作开发 HBM4。当时双方给出的表述其实已经非常耐人寻味——要建立一种由 IC 设计公司、晶圆代工厂和存储厂商组成的三方合作模式。双方合作的第一个目标，就是 Base Die。
在 HBM3E 以前，SK 海力士的 Base Die 基本自己生产；从 HBM4 开始，则引入台积电先进逻辑工艺。这实际上改变了 HBM 延续多年的产业分工。以前一颗 HBM 的主要构成是 DRAM 制造 + TSV + 堆叠封装。而现在越来越接近：DRAM Core Die + Logic Base Die + Foundry + TSV + Advanced Packaging。
HBM 由一颗 " 特殊的存储器 "，越来越像一个小型的 Chiplet 系统。
定制化 HBM 的时代加速到来
随着 Base Die 的逻辑化，HBM 正在从过去的标准件迈向定制化。
在今年的台积电技术论坛上，SK 海力士透露：未来将通过采用台积电先进逻辑工艺的 Base Die，把 HBM 从标准化产品进一步推向 Custom HBM，并加强 Memory 与 Logic 的融合。同时在硅谷，SK 海力士已被爆出正在组建专门的 HBM 架构设计团队，其招聘岗位要求不仅覆盖传统 DRAM，还强制要求具备数字设计、PDN（电源分配网络）以及 3nm 以下 Foundry 先进工艺经验。
这已经越来越不像一家传统存储公司的工作方式，反而越来越像一家 ASIC 公司。
在 SK 海力士的 HBM4 之后的产品路线图中，HBM4E 和定制 HBM 被列为关键发展方向。SK 海力士的 iHBM 解决方案是一种面向下一代 HBM 产品的散热管理技术，旨在提升其在高密度、高带宽环境下的运行稳定性和效率。
（图源：SK 海力士）
驱动这一变革的核心力量，来自于下游 AI 芯片巨头对 " 打破存储墙 " 的渴望。
所谓 Custom HBM，本质上已经开始从 " 定制内存 "，走向 Memory-Compute Co-design。这也改变了 HBM 产业最重要的一层关系。过去存储厂商主要做标准产品。三星、SK 海力士、美光按照 JEDEC 标准开发 DDR、LPDDR 或者 HBM，然后卖给客户。
但 AI 芯片完全不同。英伟达、AMD、Google、Amazon、Microsoft 以及越来越多自研 ASIC 的云厂商，对 Memory Bandwidth、功耗、接口和封装面积的要求都不一样。标准化 HBM 开始越来越难满足所有客户。因此 HBM 正在向 ASIC 非常熟悉的一套商业模式靠近：共同定义规格——共同设计—— Foundry 流片——先进封装——客户验证。
真正将这一趋势推向高潮的，是英伟达。8 月 26 日，英伟达公布了一项名为 NVHBM 的新技术。在传统 AI 硬件架构中，内存控制器通常占据着 GPU 或 XPU 计算核心内部极其宝贵的先进制程面积。而在 NVHBM 中，英伟达直接做了一次大胆的 " 乾坤大挪移 "：将内存控制器从 GPU 内部拔出，直接塞进 HBM 的 Base Die 中。
据英伟达公布的数据，相比标准 HBM4E，NVHBM 最高可带来 30% 的内存带宽提升 和 15% 的功耗下降，同时能直接释放最多 25% 的 XPU 计算核心面积。Amazon 旗下的 Annapurna Labs 已成为首批参与该架构研发的芯片设计团队。
NVHBM 与标准 HBM 相比，芯片面积节省的比较
（图源：英伟达）
这远远超过一次普通的 HBM 规格升级。因为 HBM 和 GPU 之间原本相对清晰的边界，正在变得模糊。过去是 GPU 负责计算，HBM 负责存储。未来可能变成：GPU + Logic Base Die + DRAM 共同组成计算系统。Memory Controller 只是第一步。理论上，未来还可能有更多与数据移动、地址映射、缓存管理甚至特定计算相关的逻辑被迁移到 Base Die。
三大 HBM 厂商，三种代工选择
目前三星、SK 海力士和美光实际上已经走出了三种不同的路线。
SK 海力士选择的是最典型的专业化分工。自己负责 DRAM Core Die 和 HBM 技术，再把先进 Logic Base Die 交给台积电等 Foundry 生产。据 TrendForce 援引韩媒近期报道，SK 海力士量产 HBM4 采用的 Base Die 来自台积电 12nm 级制程；而未来 HBM4E 随着逻辑复杂度进一步提高，业界甚至已经讨论向更先进节点迁移。
与此同时，由于先进逻辑 Base Die 的成本快速提高，SK 海力士也被曝正在考虑 Intel Foundry 作为潜在第二来源。
三星则恰恰相反。三星同时拥有 Memory 和 Foundry，因此从一开始就选择了更彻底的垂直整合路线。三星今年量产的 HBM4 使用 1c DRAM Core Die，同时 Base Die 直接采用自家 Foundry 的 4nm 逻辑工艺。HBM4E 也延续了 1c DRAM + 4nm Logic Base Die 组合。三星甚至已经规划，在后续 HBM 产品中将 Base Die 推进至 2nm 工艺。
过去三星同时经营 Memory 和 Foundry 经常被认为体系庞杂，但在 Custom HBM 时代，这种模式反而可能产生新的协同优势。因为一颗 HBM 所需要的 DRAM、Logic、先进封装，三星理论上全部可以内部完成。
第三条路线来自美光，它也在从自主开发走向代工拥抱。美光早期 HBM4 仍强调内部开发和制造 CMOS Logic Base Die，但到了 HBM4E，其策略已经明显改变。美光在投资者材料中明确表示，HBM4E 无论标准版还是定制版 Logic Base Die，都将与台积电合作生产，而且公司预计，采用 Customized Base Logic Die 的 HBM4E 毛利率将高于标准产品。
这一点很关键。因为它说明 HBM 厂商自己也开始承认：未来 HBM 最大的附加价值之一，可能不再只是 DRAM，而是 Base Die 里的定制逻辑。
对于晶圆代工厂而言，HBM 的变革意味着巨大的新增量。
在过去 AI 服务器产业链中，代工厂（以台积电为代表）牢牢占据着两个价值最高的金矿：GPU/ASIC 逻辑芯片代工 + CoWoS 先进封装。而现在，第三个金矿正在形成—— HBM 逻辑 Base Die。
当然，与 GPU 相比，HBM Base Die 的晶圆需求规模仍然不是一个量级。但它的重要性在于：每增加一颗 HBM，就增加了一颗 Logic Die。高端 AI 加速器通常单颗挂载 6 至 8 颗 HBM，叠加 HBM4/4E 时代 Base Die 向 12nm、5nm 甚至更先进节点迁移，晶圆代工厂在整个 AI 内存系统中的价值占比将被呈指数级放大。
随着 HBM 从 HBM4 进入 HBM4E、Custom HBM，Base Die 制程越来越先进、面积越来越大、逻辑越来越复杂，单颗 HBM 中属于 Foundry 的价值量也会随之增加。
这也是 Intel 为什么可能有机会重新进入这场竞争。Intel Foundry 如果直接争夺英伟达、AMD 等顶级 GPU 的主 Compute Die 订单，难度极高。但 HBM Base Die 可能是一个完全不同的切入口。它需要先进逻辑制造能力，却不像 GPU 那样承担整个系统计算核心的风险；与此同时，SK 海力士等存储厂商又有降低供应集中度和成本的动力。
对于 Intel 而言，这可能是一块比直接挑战台积电先进 GPU 代工更现实的增量市场。
写在最后
过去几十年，存储产业最典型的商业模式是标准化。产品越标准，规模越大，成本越低。无论 DRAM 还是 NAND，厂商竞争的大部分时间都围绕制程、容量、良率和成本展开。然而，AI 正在打破这一逻辑。HBM4 把 Logic Base Die 带入先进制程，HBM4E 继续提高 Base Die 复杂度，而 NVHBM 又进一步把 Memory Controller 直接塞进 HBM。沿着这条路线继续向前，HBM 很可能越来越难被简单定义为 " 内存 "。它会逐渐变成一种：由 DRAM、Logic、连接和先进封装构成的 Memory System。
于是 HBM 产业的竞争也正在发生改变。过去是 SK 海力士 vs 三星 vs 美光，未来更可能变成：存储厂商 + 代工厂 + AI 芯片厂商 + 先进封装之间的组合竞争。看似只是 SK 海力士考虑给 Intel Foundry 一笔 Base Die 订单，背后的意义其实远比一张代工订单更大。它意味着晶圆代工厂的边界，又向 AI 系统内部推进了一步。
继 CPU、GPU、ASIC 之后，下一块进入先进逻辑 Foundry 体系的芯片，可能正是过去一直被视为存储器一部分的 HBM Base Die。HBM 还是内存，只是从 HBM4 开始，它已经越来越像一颗芯片系统。
HBM 的下半场，战争的爆发点不在 DRAM 本身，而在那颗沉在最底部的 Base Die。
* 免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。
END
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