快科技 9 月 8 日消息，铠侠近日公开了其超高性能 SSD 的最新研发路线图。计划显示，铠侠将于 2028 年推出基于 PCIe 7.0 接口的下一代旗舰产品，其随机读写性能将达到惊人的 1 亿次 IOPS。

这一目标的实现主要依托于铠侠自主研发的第三代 XL-Flash 闪存技术，通过该技术可实现与 GPU 的直接高速数据交换，定位上是对 HBM 显存的补充。

根据官方公布的技术细节，第三代 XL-Flash 的读取性能较第二代提升了整整 3 倍，写入性能则提升了 150%。在能效比方面，读取和写入的能效分别提升了 40% 和 80%。

为了压榨出极致性能，铠侠还对闪存的底层架构进行了深度优化。通过增加 Die 内部的水平平面数量，并缩短字线和位线的长度，新产品的读取延迟被成功压缩至 5 微秒以下。

除此之外，该产品在耐用性上也表现强悍，擦写寿命预计在 15 万至 25 万次循环之间。

目前的过渡产品 GP1 SSD 已能实现 1030 万次 IOPS，采用的是 PCIe 6.0 接口和第二代 XL-Flash，提供了 800GB 的 SLC 版本和 1600GB 的 MLC 版本，SLC 即单层存储单元，具备极高的稳定性和寿命。

而按照近一年前公布的规划，1 亿 IOPS 的目标原定于 2027 年达成，但铠侠最新表态显示时间点已推迟至 2028 年，这一节奏反而与 PCIe 7.0 接口的发展路线更为契合。

目前铠侠尚未披露第三代 XL-Flash 的具体堆叠层数和内部封装细节。