$ 盈新发展 ( SZ000620 ) $   长兴半导体技术水平完整梳理

风险提示：内容来自上市公司调研纪要、长兴官网公开资料，不构成投资建议

一句话核心定性：长兴半导体不做 DRAM/NAND 存储晶圆制造（没有晶圆厂），强项在存储封测 + 固件 + 内存 /SSD 模组一体化；属于存储后端先进封测与模组方案商，国产细分赛道专精特新小巨人；和江波龙、佰维同属模组赛道，对比三星 / 海力士原厂（芯片制造）不是一个层级

一、核心工艺技术（已量产）

1、多层 Die 堆叠封装（8 层堆叠成熟量产）

自研超薄晶圆减薄、隐形划片工艺，8 层存储芯片堆叠，封装良率稳定 98% 以上；配套 SiP 系统级封装、BGA、CSP，支持高密度 NAND/DRAM 堆叠；可以做晶圆 CP 中测 +FT 成品测试一体化，晶圆修复技术能够降低颗粒损耗约 30%。

专利：发明专利 39 项 + 实用新型 63 项 +1 项 PCT 专利，覆盖高速基板、硬件纠错、等离子清洗、堆叠应力控制等环节，研发投入占营收 15% 以上。

2、DDR5 内存模组技术（当前最大看点）

- 产品规格：消费级 DDR5，企业级 RDIMM 服务器 DDR5（16G~128G，5600MT/s），已经完成 Intel、AMD 平台全工况可靠性认证，实现批量交付给算力客户；

- 自研固件、布线、电源管理方案，搭载 PMIC、On-die ECC 硬件纠错，满足服务器 7 × 24 小时连续运行；最高支持 6400MT/s，电竞版本支持 XMP3.0/EXPO 超频。

重点区分：颗粒（DRAM 裸芯片）向外采购（长鑫、三星、海力士等），长兴做封装、固件调试、模组组装、整机老化测试，不是自研 DRAM 芯片。

3、NAND 闪存 SSD 模组技术

可做 300+ 层 NAND 颗粒修复、堆叠封装，消费级 SSD 模组量产；同时承接工控、安防定制存储模组，适合小批量定制订单（江波龙等大厂偏向大批量订单，这块是长兴差异化优势），长江存储一级配套供应商之一。

二、技术定位：行业横向对比

对标存储模组厂商（江波龙、佰维存储）

- 优势：封测 + 模组一体化闭环，多数模组厂只做 SMT 组装，需要外部外包封测；长兴内部完成晶圆测试、堆叠封装、SMT、老化测试，减少外协损耗、缩短交付周期；擅长工控、边缘 AI 存储小批量定制方案。

- 短板：体量小、资金有限，高端 HBM 先进封装仅测试配套，不做 HBM 核心堆叠量产；服务器 DDR5 模组刚刚切入算力客户，大规模服务器市场份额还比较小。

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