快科技 9 月 21 日消息，知名测试机构 HOMOLAB 对 1TB 版 iPhone 18 Pro Max 进行了存储性能实测，结果显示该机型在持续高负载写入场景下闪存速度大幅下降，甚至低于部分入门级 microSD 卡。

据悉，1TB 版 iPhone 18 Pro Max 采用 QLC 闪存，每个存储单元可保存 4 比特数据。相比多数手机使用的 TLC 闪存（每单元 3 比特），QLC 在相同物理空间内可提供更高容量，但速度和耐久性通常不及 TLC。HOMOLAB 将其与搭载 512GB TLC 闪存的 iPhone 18 Pro 进行了对比测试。

在加权 4K 读取测试中，两款机型表现接近，QLC 版本得分 46045，TLC 版本为 51282。在混合读写负载下差距明显扩大：低队列深度时 TLC 版本领先约 38%，高负载场景下差距缩小至约 12%。

测试显示，iPhone 18 Pro Max 与多数现代手机一样，配备了一块高速 SLC 缓存以应对突发数据写入，缓存空间充足时速度可超过 3000MB/s。一旦缓存耗尽，手机将回退至模拟 TLC 的二级缓冲区，平均写入速度为 578MB/s，但波动较大。

当二级缓冲区也被占满后，数据将直接写入 QLC 闪存，此时持续写入速度平均仅为 79.4MB/s，最低降至 25.6MB/s，表现不及许多廉价 microSD 卡。

随着存储空间占用率上升，性能衰减进一步加剧。在容量使用 60% 的情况下，可用 SLC 缓存从空盘时的约 250GB 骤降至 58GB，模拟 TLC 缓冲区平均速度降至 396MB/s，原始 QLC 写入阶段平均速度仅为 45MB/s，最低跌至 1.1MB/s，明显落后于其他旗舰机型采用的 TLC UFS 4.0 存储。

外媒分析称，对于日常使用场景，如发送信息、浏览网页和普通拍照，这一性能差异通常难以感知。但用户在进行长时间 4K 或 ProRes 视频录制、大文件传输或备份恢复等持续高写入操作时，将明显感受到速度下降，而这些场景正是大容量版本用户可能频繁遇到的。