内存芯片制造商美光科技（NASDAQ: MU）公布了 2026 财年第四季度（即 2026 年日历年第三季度）业绩，收入表现远超市场预期。当季销售额同比激增 379%，达到 542.3 亿美元；非公认会计准则每股收益为 33.42 美元，较分析师共识预期高出 5%。公司对下一季度的营收指引中值为 615 亿美元，比分析师预期高出 6.8%，展现出强劲的增长势头。

核心财务数据亮点

营收：542.3 亿美元，分析师预估为 509.5 亿美元（同比增长 379%，超预期 6.4%）。

调整后每股收益：33.42 美元，分析师预估为 31.82 美元（超预期 5%）。

调整后营业利润：446.4 亿美元，分析师预估为 422.8 亿美元（利润率 82.3%，超预期 5.6%）。

下季度营收指引：中值 615 亿美元，高于分析师预估的 575.7 亿美元。

下季度 EPS 指引：中值 38.15 美元，高于分析师预估的 36.01 美元。

营业利润率：80.7%，较去年同期的 32.3% 显著攀升。

库存周转天数：131 天，较上一季度的 122 天有所增加。

市值：1.2 万亿美元。

AI 需求与供应约束塑造增长逻辑

美光本季度业绩超越华尔街预期，主要得益于人工智能基础设施需求的激增以及有利的产品结构。管理层指出，高带宽内存（HBM）的强劲采用率以及全行业供应紧张，共同推动了价格上涨和利润率提升。总裁兼首席运营官 Manish Bhatia 强调，客户对 DRAM 和 NAND 产品做出重大承诺，先进内存解决方案已成为 " 释放 AI 应用潜力与承诺的关键推动力 "。

展望未来，美光的强劲指引建立在持续的 AI 驱动内存需求之上，特别是 HBM 领域，且公司拥有延伸至 2028 年及以后的长期供应协议。首席财务官 Mark Murphy 表示，随着公司应对供应限制并加速厂房建设以满足未来产能需求，有望维持强劲的财务表现。技术领先地位，尤其是在下一代 DRAM 节点及与英伟达等合作伙伴共同开发定制 HBM 方面的进展，将是维持增长的核心。

关键驱动因素洞察

AI 基础设施催化需求：AI 工作负载的快速普及成为主要催化剂，服务器和数据中心客户增加了对先进 DRAM 和 HBM 产品的需求，以支持代理式 AI 和高性能计算应用。

HBM 份额扩张：HBM 出货量增速快于传统 DRAM，在行业产能中的份额日益增长。美光通过与英伟达联合设计，在 HBM4E 开发方面取得重大进展，稳固了其在 AI 硬件供应链的前沿地位。

长期协议锁定：美光扩大了涵盖 DRAM 和 NAND 的长期供应承诺（SCA），期限延伸至 2030 年。这些协议提供了价格透明度，使公司能在 AI 加速采用的背景下，将生产与预期需求精准对齐。

供应增长受限：受限于洁净室空间不足及技术转型回报递减等结构性因素，行业供应增长受限。尽管新厂房投资正在进行，但实质性产能增加预计要到 2028 年底及以后才会显现。

产品组合高端化：尽管部分移动和客户领域的位元出货量下降，但旗舰智能手机和 PC 产品向高端转型及定价提升，支持了收入增长和盈利能力。

未来展望与风险

美光的前景由 AI 中心需求、先进内存产品扩展以及供应纪律共同驱动。公司正优先推进下一代 HBM 和 DRAM 节点的开发与量产，并通过与英伟达等客户的持续合作巩固市场地位。在产能方面，新厂房建设虽在加速，但需数年时间才能影响位元供应，这种与客户承诺挂钩的投资策略有助于降低供过于求的风险。

尽管美光在 DRAM 技术上据报领先中国竞争对手至少两代，并正投资基于 EUV 的 DRAM 节点以减少对华销售暴露，但管理层仍承认地缘政治及竞争动态带来的持续风险。后续季度需重点关注 HBM4E 等新一代产品的客户采用情况、厂房建设进度对供应的影响，以及长期供应协议的签署进展。

【星途科讯 图文丨周鑫雨 首发于 ZAKER 科技，转载请注明出处】