快科技 10 月 9 日消息，ASML 与光学合作伙伴蔡司近日在《微纳米图案化、材料与计量期刊》发表同行评审论文，正式公布目前最强光刻机 High NA EUV 接班人—— Hyper NA EUV 光刻机的蓝图。论文称，这款接替 High NA 的设备预计约 10 年后准备就绪，可实现 5nm 单次曝光。

Hyper NA 的核心是将数值孔径从 High NA 的 0.55 提升至至少 0.75。数值孔径越大，光刻机收集光的能力越强，能分辨的电路特征就越小。论文指出，Hyper NA 可印制小至 5nm 的电路特征，比现有 High NA EUV 设备缩小逾三分之一。

在技术复用方面，Hyper NA 可最大化沿用现有基础设施。现有 EUV 光源可直接复用，蔡司已能制造精度足够的反射镜，新设备尺寸也仅比现有 High NA 机台略大。这意味着芯片制造商无需重建整套光刻生态。

不过，Hyper NA 仍面临挑战。ASML 已开始研发，但尚未承诺投入生产。论文也指出，现有光源可沿用，但若改用自由电子激光器，照明系统设计也不会改变。

在产业节奏上，英特尔目前已开始将 High NA 用于量产，三星和 SK 海力士计划 2028 年跟进，台积电则规划 2030 年采用。这意味着 High NA 在未来数年仍是先进制程的主力，Hyper NA 则瞄准 2035 年之后的产业需求。

值得注意的是，该论文还对 xLight 等美国初创企业具有参考意义。xLight 正在研发自由电子激光光源，特斯拉 CEO 马斯克曾暗示可能在得州 Terafab 芯片厂采用该技术。

此外，Substrate 也在探索 X 光光刻路线，试图绕开 ASML 的 EUV 技术壁垒。