半导体的王炸，终于来了。
长鑫科技，这家被称为 " 国产 DRAM 独苗 " 的企业，科创板 IPO 申报获受理，不仅坐实 " 国产存储第一股 " 的头衔，而且是首单 IPO 预先审阅机制的试点案例。
按照招股书数据和募资规模倒推，这是一场估值逼近 3000 亿元的史诗级 IPO。
过去几年，GPU、CPU、先进封装轮番登台，资本市场水漫金山；如今，存储出手，掀起另一场史诗级盛宴。
半导体的主线，已从 " 卡脖子焦虑 "，升级到 " 定价权想象 "。高端 DRAM（动态随机存取存储器）市场，国产替代从零到有，长鑫科技正成为这个时代的新天命选手。
但别忘了，三星、SK 海力士、美光还牢牢握着全球九成市场和高端 HBM（高带宽内存）技术，长鑫的突围之路，依然任重道远。
国产存储第一股来了，新一轮造富神话，也就此开启。
风口上的长鑫
长鑫科技这次推进 IPO 的时间节点堪称完美。
过去一年，全球内存市场发生了罕见的急转弯。此前两年困扰行业的产能过剩、价格塌陷，几乎在一夜之间被 AI 服务器的需求洪峰彻底冲垮。内存，从一个周期性最强、议价权最低的 " 标准件 "，突然变成了算力竞赛中的核心资源。
在全球 AI 算力军备竞赛中，DRAM（动态随机存取存储器）成为新的硬通货。
一台 AI 服务器的 DRAM 需求，是普通服务器的 8 倍以上；高带宽、高容量、高可靠性的内存产品，在短短数月内被迅速消耗殆尽，上游厂商重新掌握话语权。
价格信号最为直观。集邦咨询数据显示，自 2025 年 9 月初以来，DDR5 2Gbx8 颗粒现货价格上涨超过 300%，DDR4 1Gbx8 涨幅也接近 160%。
内存条，被市场戏称为 " 涨幅超黄金的黑金条 "，甚至有业内人士调侃，一盒高端 DDR5 内存条的价值，" 已经超过上海不少房产 "。
这是一次久违的、甚至带着荒诞意味的存储超级周期。也正是在这一背景下，长鑫科技迎来了进入资本市场的最佳时点。
但风口从来只是放大器。真正决定企业能否站稳舞台的，始终还是自身实力。作为当前 " 国产第一、全球第四 " 的 DRAM 内存厂商，长鑫科技并非只是行情的被动受益者，而是在过去一年里，完成了关键产品层级的实质性突破。
在 11 月举行的 IC China 中国国际半导体博览会上，长鑫科技首次系统性展示了 DDR5 与 LPDDR5X 两大产品线的最新成果。其中，DDR5 产品最高速率达到 8000Mbps，单颗粒容量提升至 24Gb；面向移动端的 LPDDR5X 旗舰产品，最高速率达 10667Mbps，最高颗粒容量 16Gb，并已覆盖 12GB、16GB、24GB、32GB 等主流封装方案。
单从产品速率来看，这是长鑫科技的 DDR5 产品系列首次达到国际一线梯队水平，结合产品性能与产品布局来看，这意味着国产 DRAM 内存如今已经具备与国际一线大厂同台竞技的技术实力。
长鑫存储市场中心负责人骆晓东此前曾表示，当前 DRAM 需求的爆发式增长对市场供给、价格都带来巨大的影响，中国需要有稳定的国产 DRAM 产能供应，通过产能扩张和规模效应，减少对海外厂商产能的依赖。
在 AI 竞争狂热和国产替代加速的双重叙事下，掌握 DRAM 内存的研发、制造和销售应用链条已经成为必然行业趋势，而长鑫科技正是站在这一时代风口的天命选手。
从资金投向也能看出其战略重心。招股书显示，长鑫科技此次拟募资 295 亿元（扣除发行费用后），其中 75 亿元用于晶圆产线改造升级，130 亿元投向 DRAM 技术升级，另有 90 亿元用于前瞻技术研发，资金高度集中于产能扩张、制程提升与长期技术储备。
经营层面的变化同样直观。2025 年前三季度，长鑫科技营收同比增长 97.79%，第三季度单季增速高达 148.8%，综合毛利率提升至 35%。公司预计 2025 年全年营收有望达到 550 亿元，在科创板已上市半导体企业中，仅次于中芯国际；扣非归母净利润预计为 28 亿至 30 亿元，将首次实现实质性扭亏为盈。
业绩改善的背后，是一套极具象征意义的股东结构。合肥市、安徽省国资委与国家大基金二期合计持股超过 38%，构成稳固的 " 国家队 + 地方队 " 底座；同时，阿里、腾讯、小米产投等产业资本，以及人保资本、君联资本等金融资本悉数在列，为其提供了产业协同与资本耐心的双重支撑。
这是一场被资本、政策与产业预期共同托举的突围，也在一定程度上解释了，为何长鑫科技能够成为科创板首家真正吃到 IPO 预先审阅机制红利的企业。
该机制由证监会于 2025 年 6 月推出，核心目的在于压缩上市 " 曝光期 "，避免企业在审核过程中因信息过早披露而承受不必要的竞争风险。在制度安排下，上交所在受理招股书当日即同步披露两轮预先审阅问询与回复，显著缩短了审核节奏。
作为一家技术水平和市场化程度都足够挑起 " 国产存储第一股 " 的超级独角兽，长鑫科技自然也担得起这份待遇。
十年磨一剑
如果从时间维度回看，长鑫科技这场接近 3000 亿元估值的 IPO，并非一夜暴富，而是一条典型的 " 重资产、慢变量 " 产业路线。
公司成立于 2016 年 5 月，自 2018 年 11 月启动天使轮融资以来，累计完成 8 轮融资。去年 6 月，在上市前最后一轮融资中，阿里云以 61 亿元认购其 3.85% 新增注册资本，将长鑫科技的 Pre-IPO 估值推升至 1584 亿元。
若按本次拟募资 295 亿元、发行股份不低于发行后总股本 10% 倒推，其隐含发行估值已接近 2950 亿元，较 2025 年中融资时几乎翻倍。
随着上市日程临近，这场估值逼近 3000 亿元的 IPO，被外界视作国产存储 " 十年磨一剑 " 的集中兑现。
但这条路，并非从一开始就存在。
受限于产业起步较晚，以及《瓦森纳协定》等国际技术封锁，在很长一段时间，国产内存产业都处在断代空白期，只能被动消化市场落后产能。
这种憋屈的状况，一直持续到 2014 年。
当年，由政府牵头、引入社会资本的国家集成电路产业投资基金正式成立，也就是我们如今熟知的 " 国家大基金 "，重点投资集成电路芯片制造业，兼顾芯片设计、封装测试、设备和材料等领域，一期募资总额高达 1387 亿元，其中 67% 投向芯片制造领域。
在这一背景下，国产存储的两枚关键落子几乎同时出现。2016 年，武汉的长江存储与合肥的长鑫存储先后成立，分工极为清晰：前者主攻 NAND 闪存技术研发，后者专注 DRAM 内存的量产突破。
这并非随意选择。
DRAM 与 NAND 是全球最大的两类存储芯片，合计占据存储市场 90% 以上份额。NAND 是非易失性存储，对应手机、电脑里的 512GB、1TB 硬盘；而 DRAM 则是运行内存，直接决定算力系统的即时性能，也是当前价格暴涨的核心品类。
在大基金一期的产业引导下，合肥将 " 补芯 " 上升为城市战略，加速打造 "IC 之都 "。与此同时，兆易创新创始人朱一明也在寻找国产 DRAM 的突破口，并形成了一个关键判断：DRAM 内存将是存储市场最重要的存储芯片类型，也是芯片国产化的兵家必争之地。
于是双方一拍即合，合肥政府出钱出政策，兆易创新出人出力。2016 年 5 月，长鑫科技正式成立；2017 年 3 月，一期工厂开工；同年 10 月，兆易创新宣布斥资 180 亿元，与合肥合作推进 DRAM 项目。
真正的考验，从此开始。
在经历两年的产线研发和产能爬坡后，长鑫科技在 2019 年 9 月宣布成功量产第一代 8Gb DDR4，并在 11 月获得公司第一笔正式订单，实现中国 DRAM 内存零的突破，一举打响了公司在创投圈的名头。
但代价同样高昂。
朱一明曾在 2019 年一次公开活动上透露，长鑫存储成立以来已花费 25 亿美元用于研发和资本支出，半导体产业研发之路耗资程度和资金压力之大可想而知。
随着第一代 DDR4 产品落地，以及后续融资资金到位，长鑫科技正式进入发展快车道，2020 年 6 月，北京 DRAM 项目一期启动；2021 年 12 月，北京 DRAM 项目二期启动；2022 年 1 月，北京 DRAM 项目一期试产线通线。
公开资料显示，目前公司研发与技术人员占比高达 80%，产品线覆盖 LPDDR4X/5/5X、DDR4、DDR5 及模组，应用场景延伸至服务器、工作站、手机、PC、可穿戴设备和智能终端等多个领域，并在持续缩小与国际厂商的技术差距。
回过头看，长鑫科技的成长轨迹，并不是一条资本催熟的快线，而是一家高精尖制造企业在高封锁环境下，用时间、资金和耐心硬生生磨出来的结果。
这既是这场天价 IPO 最重要的产业注脚，也是一段关于国产存储如何 " 熬出来 " 的现实样本。
正视差距
不可否认，长鑫科技的成长速度，本身已是一种产业奇迹。
不到十年时间，走完了国际存储巨头二三十年的来时路，从 " 从零起步 " 到实现规模化量产，在国产替代史上，这样的进度条并不多见。但也正因如此，当追赶进入深水区，一些绕不开的问题，必须被正视。
其中最为关键的，无疑是这轮存储行业超级周期中，扮演着关键角色的 HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）。
HBM 并不是传统意义上的内存升级，而是一套由三星、SK 海力士主导、基于 3D 堆叠技术构建的高性能内存体系。相比 DDR 架构，HBM 拥有更高的引脚密度、更低的延迟，能在极其有限的封装空间内，提供成倍提升的带宽与访问速度，主要应用于 AI 加速器、高性能计算、GPU 等对内存带宽极度敏感的场景。
正是更高的带宽、更快的传输速度和更低的功耗，让 HBM 成为当下所有 AI 巨头建设数据中心、突破算力天花板的 " 必争之地 "。
从 2015 年 SK 海力士率先推出第一代 HBM 推出至今，三星、SK 海力士和美光如今均已进入第六代 HBM4 的量产阶段，相比之下，国产 HBM 依然没有明确的研发进度表。
与高性能 DDR5 内存相比，真正面向大规模商用的 HBM，称得上是当前存储产业皇冠上的明珠。国产替代在这一领域的追赶，注定是一场长期战役。
除了技术路径本身，竞争环境同样值得警惕。
长鑫科技目前所处的外部环境，相对 " 温和 "，一个重要原因或许在于：它尚未真正触碰到巨头们的逆鳞。
无论是 DRAM 还是 NAND 闪存，行业普遍采用 IDM（Integrated Device Manufacturer，集成器件制造）模式——从设计、制造、封装测试到品牌销售，全部自持。这意味着企业必须自建晶圆厂、封装厂、测试厂，是典型的重资产、强周期产业。
招股书显示，长鑫科技此次 295 亿元募资中，仅晶圆产线改造升级就占去 75 亿元。而 DRAM 又天然具备大宗商品属性，价格波动剧烈，这使得每一次扩产决策，实质上都是一次对周期判断的豪赌。
在这轮久违的上行周期之前，行业曾长期深陷产能过剩，内存条一度沦为 " 白菜价 "。也正因如此，本轮涨价潮才会引发如此广泛的关注。
但周期从不讲情绪。
一旦行业再度下行，为消化产能、争夺份额，价格战几乎是必然结局。更危险的是，三星向来是反周期扩产的老手：在行业低谷期逆势加大投资、提升产能，用极低价格直接压垮现金流承受能力不足的对手。
尔必达、奇梦达等老牌企业，就是三星反周期投资的著名受害者。
换句话说，长鑫科技目前仍主要在 " 自留地 " 内加速成长，而全球超过九成的市场份额，依然牢牢掌握在三星、SK 海力士和美光手中。即便在 DDR5X 等高性能产品实现量产之后，面向 HBM 的下一步突围，仍将同时面对技术、设备与生态层面的多重封锁，顶级产品的突围之路依然遥远。
不过，这些都是后话了。
至少在当下，从 0 到 1、从无到有，国产存储率先解决 " 能不能用 " 的问题，确保关键产业不被彻底卡断供应，长鑫科技已经超额完成了自己的阶段性使命。
而这场史诗级的 IPO，也可以看作是长鑫科技在突围十年后，正式接受资本市场的一次公开加冕。
