大摩认为，三星电子正以其 " 技术领先优先 " 战略重新掌控存储市场主导权，2026 年每股收益将较 2025 年暴增超过 150%。

据追风交易台消息，摩根士丹利分析师在 11 月 23 日的报告中表示，三星在高带宽内存 ( HBM ) 领域已实现全面追赶。三星 HBM3e 产品目前已向所有 AI 计算客户出货，而 HBM4 产品正在进行多重资质认证测试，首批结果预计将在 12 月初公布。

与竞争对手不同，三星无需修改设计要求，凭借 1c DDR5 前端技术、4nm 逻辑基础晶粒和低功耗特性，在产品质量和规格方面保持领先优势。特别是在高速>11 Gbps 领域的独特优势，以及从 DRAM 到代工再到封装的端到端解决方案能力，使其有望显著提升市场份额。

分析师强调，作为 DRAM 行业命运的关键掌控者，三星目前拥有 50 万片 DRAM 有效产能 ( 总计约 65 万片 / 月 ) ，远超竞争对手。DRAM 订单履约率已降至客户需求的 70% 左右，可见度延续至 2026 年上半年。

然而，三星管理层采取了更为理性的策略——不愿追逐市场热潮，而是与关键客户合作，根据真实需求实现可持续盈利。P4 厂房超过 10 万片 / 月的设计产能为内存和代工业务提供了充足的扩张空间。

代工业务最坏时刻已过，2nm 工艺赢得多个订单

分析师认为，三星代工业务正迎来复苏曙光。利用率提升和先进制程性能改善将推动盈利复苏。三星以客户为中心的文化转变已开始显现成效，在 2nm 制程领域赢得多个订单。尽管产量仍需提升，寻找特斯拉以外的大客户仍是优先任务，但整体前景明显改善。

基于供应短缺环境下的强劲定价能力，摩根士丹利预计三星 2026 年每股收益将达到 14,464 韩元，较当前市场共识预期 9,800 韩元高出近 50%。这一盈利增长有望推动市盈率倍数的改善。分析师特别指出，市场对三星特定的积极进展准备不足，从相对盈利修正到技术领先地位的转变 ( HBM4 ) ，都可能成为股价催化剂。