IT 之家 1 月 16 日消息，据 TrendForce 今天报道，在 AI 热潮的当下，各大存储厂商目前对 NAND 闪存产能扩张方面表现谨慎，并逐步淘汰 MLC 等旧产品。其中 SK 海力士就在去年 12 月公布了 5-Bit NAND 技术，读取速度比传统 PLC 闪存快 20 倍。

据报道，海力士的 5-Bit NAND 技术采用了 Multi-Site Cell（MSC）NAND 方案，可将每个 3D NAND 单元一分为二，在提升单元数据容量的同时将所需的电压减少三分之二。

结合 Blocks & Files 今天报道，SK 海力士还在 5-Bit NAND 中应用了 4D 2.0 技术，解决了传统存储单元在超过 4 bit（IT 之家注：QLC）后必定会遭遇的 " 电压状态壁垒 "，可在不牺牲速度或耐久性的前提下实现每单元 5Bit 存储。

目前，QLC 3D NAND 闪存已经实现量产，但存在读取可靠性低、寿命较短等缺陷，因此 SK 海力士选择将一个 NAND 存储单元拆分为两个相互独立的 "Site"，每个 Site 所使用的电压更低，从而让两个 Site 实现更高的存储密度。

同时，SK 海力士的这项技术还能将单颗 NAND Die 及 SSD 的存储容量提升 25%。