来源：新浪证券 - 红岸工作室

6 月 17 日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为 " 一种半导体器件及其制备方法 " 的专利。申请公布号为 CN122227654A，申请号为 CN202610677493.5，申请公布日期为 2026 年 6 月 16 日，申请日期为 2026 年 5 月 18 日，发明人姜恒、李毅、施平，专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司，专利代理师张静，分类号 H10D84/01、H10D84/85。

专利摘要显示，本发明属于半导体器件技术领域，公开一种半导体器件及其制备方法，该方法首先在衬底上选择性地形成预生长氧化层，使后续生长的氧化层在 NMOS 区域更厚，从而在初始阶段即建立厚度补偿基础；随后通过 Cavity 刻蚀与 Sigma 刻蚀的协同作用，即利用 NMOS 区域更厚的 OX 层作为蚀刻阻挡层，保护 NMOS 栅极区域外的衬底不被破坏，此时 P/NMOS 栅极上的 HMOX 同时向下蚀刻，保证了两种 MOS 的栅极高度基本持平，显著提升了栅极结构的平面化程度，不仅避免了 CMP 过程中的非均匀抛光缺陷，消除了多晶硅残留风险，还保障了金属栅极的完整填充与界面质量，从而大幅提高了半导体器件的电学性能与长期可靠性。

晶合集成成立于 2015 年 5 月 19 日，于 2023 年 5 月 5 日在上海证券交易所上市，注册地和办公地均涉及安徽省、香港。它是国内领先的 12 英寸晶圆代工企业，具备先进工艺和全产业链优势。

晶合集成主要从事 12 英寸晶圆代工业务，研发并应用行业先进工艺，为客户提供多制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造，涉及 MCU 概念、MR 头显、芯片概念等板块。

2025 年，晶合集成营业收入 108.85 亿元，行业排名 4/7，行业第一名中芯国际为 673.23 亿元，第二名华虹宏力为 172.91 亿元，行业平均数 166.12 亿元，中位数 108.85 亿元。主营业务中，集成电路晶圆制造代工 103.57 亿元，占比 95.14%。当期净利润 4.66 亿元，行业排名 4/7，行业第一名中芯国际 72.09 亿元，第二名赛微电子 13.88 亿元，行业平均数 9.67 亿元，中位数 4.66 亿元。

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开 ( 公告 ) 号公开 ( 公告 ) 日期发明人 1 接触孔缺陷检测方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利公布 CN202610694586.92026-05-20CN122218003A2026-06-16 李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕 2 一种半导体设备的参数化单元的选项的自动生成方法发明专利公布 CN202610685344.32026-05-19CN122221790A2026-06-16 前田圭司、伊藤真浩 3 一种半导体器件及其制备方法发明专利公布 CN202610677493.52026-05-18CN122227654A2026-06-16 姜恒、李毅、施平 4 检索模型的训练方法、检索方法和电子设备发明专利公布 CN202610674244.02026-05-15CN122198022A2026-06-12 张潇、郭雅静、萧礼明、张贺、蒋治纬 5LDMOS 器件的阈值电压的 APC 方法、系统、介质及产品发明专利公布 CN202610667846.32026-05-15CN122205903A2026-06-12 陈晓妍、王梦慧 6 一种反应腔室的漏率监测方法、装置及半导体工艺设备发明专利公布 CN202610667786.52026-05-15CN122217543A2026-06-16 王昆、周俊、刘志强、徐阳 7 一种半导体器件及其制作方法发明专利公布 CN202610660032.72026-05-14CN122205918A2026-06-12 韩小虎、邓少鹏 8 半导体版图结构及双栅氧化层制备方法发明专利公布 CN202610663071.22026-05-14CN122205953A2026-06-12 徐锐、宋聪强 9 一种半导体器件及其制作方法发明专利公布 CN202610659999.32026-05-14CN122205917A2026-06-12 韩小虎、邓少鹏 10 芯片布局模型的训练方法、芯片布局方法及相关装置发明专利公布 CN202610646614.X2026-05-12CN122174775A2026-06-09 郭雅静、张潇、齐天翔、萧礼明、蒋治纬 11 半导体结构及制备方法发明专利公布 CN202610644817.52026-05-12CN122180135A2026-06-09 巫振伟、汪雪春 12 一种半导体器件的测试方法及测试装置发明专利公布 CN202610644841.92026-05-12CN122193862A2026-06-12 刘至宜、汪小小、陈帅、张慧玲 13 光阻层的形成方法及半导体结构发明专利公布 CN202610637283.32026-05-11CN122161422A2026-06-05 赵志豪、李海峰、沈俊明 14 半导体结构、栅极结构的制备方法及降低缺陷的方法发明专利公布 CN202610627967.52026-05-09CN122180129A2026-06-09 张鑫、周晓慧、马亚强、陈学刚 15 半导体结构及制备方法发明专利公布 CN202610602466.12026-05-06CN122138409A2026-06-02 胡文婷、许春龙、陈婉露 16 用于工艺监测的关键尺寸条形结构及关键尺寸监测方法发明专利公布 CN202610605065.12026-05-06CN122138671A2026-06-02 黄周远、许春龙、孟娟 17OPC 模型的校正方法、系统及计算机可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布 CN202610590152.42026-04-30CN122113466A2026-05-29 王康、罗招龙 18 一种光刻套刻误差的补偿方法、系统和设备发明专利实质审查的生效、公布 CN202610588770.52026-04-30CN122110631A2026-05-29 何赵鑫、黄胜 19 深通孔制备方法及背照式图像传感器的制备方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610578907.92026-04-29CN122121294A2026-05-29 郇小伟、金文祥、褚冉 20 一种掩膜版图优化方法、设备、存储介质及程序产品发明专利实质审查的生效、公布 CN202610570245.02026-04-28CN122110595A2026-05-29 赵广、罗招龙、张国乾 21 降低 F 离子注入在 CIS 产品上产生白像素的方法及系统发明专利实质审查的生效、公布 CN202610551158.02026-04-24CN122094205A2026-05-26 吝辉辉、王曼真、郭瑞、姚智、李维泽 22 半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610544911.32026-04-23CN122094153A2026-05-26 王文智、王仲盛 23 半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610525621.42026-04-21CN122069775A2026-05-19 运广涛、邵章朋、苏圣哲、罗钦贤 24 静态存储器的最小工作电压的预测方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610525469.X2026-04-21CN122067580A2026-05-19 田志锋、沈洁 25 一种 SRAM 集成电路结构、静态随机存取存储器及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610526758.12026-04-21CN122094097A2026-05-26 王文智、刘哲儒、刘飞飞 26 一种 SRAM 集成电路结构、静态随机存取存储器及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610526755.82026-04-21CN122094096A2026-05-26 王文智、刘哲儒、刘飞飞 27 一种半导体结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610516789.92026-04-20CN122069999A2026-05-19 张璐、高倩倩、朱鹏飞、谈胜福、游奕廷 28 一种接触孔及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610516915.02026-04-20CN122070006A2026-05-19 贾涛、董宗谕、王佳佳 29 半导体结构的制作方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布 CN202610508501.32026-04-17CN122069766A2026-05-19 高佑琳、高志杰、盛云、王瑞 30 半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610502429.32026-04-16CN122028719A2026-05-12 李飞、董宗谕 31 半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610500449.72026-04-16CN122028718A2026-05-12 李飞、董宗谕 32 一种半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610491922.X2026-04-15CN122054986A2026-05-15 陈东、王晓娟、韩领、康绍磊 33 半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610479111.82026-04-13CN122028725A2026-05-12 宋富冉、刘乃硕 34 光学临近效应修正模型的校正方法及数据采集方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610476328.32026-04-13CN122018227A2026-05-12 王康、罗招龙 35 电性测试结构及其测试方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610476299.02026-04-13CN122028713A2026-05-12 刘站峰、汪小小、马婷、陈信全、张曼 36 伽马电阻的阻值波动的监控方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610475623.72026-04-13CN122028712A2026-05-12 李健、邵迎亚、汪雪春 37 一种半导体芯片的版图设计方法及版图设计系统发明专利实质审查的生效、公布 CN202610475734.82026-04-13CN122047157A2026-05-15 杨杰、郭哲劭、郭廷晃 38 黄光制程曝光能量确定方法、电子设备和存储介质发明专利实质审查的生效、公布 CN202610466856.02026-04-10CN121995712A2026-05-08 胡玉明 39 一种半导体结构的制备方法和半导体结构发明专利实质审查的生效、公布 CN202610466026.82026-04-10CN122003143A2026-05-08 李雯琴、王文轩 40 一种化学气相沉积设备及其温度控制方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610468112.22026-04-10CN122013156A2026-05-12 黄望望、王松、周丹玫、胡万春 41 晶体管结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610468691.02026-04-10CN122121263A2026-05-29 张帅博、郭廷晃 42 铝衬垫制备方法及半导体发明专利实质审查的生效、公布 CN202610460164.52026-04-09CN121985860A2026-05-05 张正、季小龙、韩壮壮、沐凡、魏榕 43 一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610458132.12026-04-09CN121985755A2026-05-05 曹平、刘苏涛 44 半导体器件的缺陷测试方法和半导体器件发明专利实质审查的生效、公布 CN202610460537.92026-04-09CN122003137A2026-05-08 董琳、王仲盛、毛辰辰、姜攀 45 半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布 CN202610449908.32026-04-08CN121985808A2026-05-05 伍德超、郝小强、梁健 46 套刻标记结构及其制造方法、套刻标记尺寸选择方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610442492.22026-04-07CN121978874A2026-05-05 刘华龙、张祥平 47 半浮栅晶体管及其制备方法、包含其的存储器件发明专利实质审查的生效、公布 CN202610432589.52026-04-03CN121968657A2026-05-01 李猛猛 48LDMOS 器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610433072.82026-04-03CN121968623A2026-05-01 刘东山、吴其洪 49 半导体结构制备方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布 CN202610435065.12026-04-03CN121985805A2026-05-05 王文智 50 电容结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布 CN202610436485.12026-04-03CN121985540A2026-05-05 刘向阳、蔡承佑、丁美平、陆莹莹、周迪