SK 海力士正主动踩下 HBM4 扩产油门，将战略重心转向利润率更高的普通 DRAM 市场，而竞争对手三星则在 HBM4 赛道上加速狂奔。

据韩国媒体最新报道，SK 海力士正放缓 HBM4 产能爬坡节奏，并削减部分原定从 HBM3E 升级至 HBM4 的产线转换计划。该公司认为，在 HBM 市场已占据强势地位的情况下，没有必要激进押注下一代产品扩产。

与此同时，三星电子 HBM4 营收据报已突破 10 亿美元，成为业内首个在量产后四个月内达到这一里程碑的公司，两家巨头在 HBM4 策略上的分歧日益凸显。

SK 海力士股价周二大跌 7.5%，三星同日亦录得显著跌幅。

SK 海力士：利润优先，主动降速 HBM4

SK 海力士放缓 HBM4 扩产的核心逻辑，在于对利润率的主动管理。据朝鲜 Biz 报道，HBM 业务目前已占该公司总营收逾 40%，在现有市场地位稳固的前提下，继续大规模投入 HBM4 扩产的边际收益有限。

相比之下，普通 DRAM 市场的盈利前景正变得愈发吸引人。分析师预计，DRAM 运营利润率有望在年内接近 90% 的理论峰值。SK 海力士第一季度 DRAM 平均售价已环比上涨约 60%，公司表示将重点聚焦高密度服务器模组及移动端需求。此外，该公司与微软签订的三年期 DDR5 供应协议，也被市场普遍视为强化了其在普通 DRAM 领域的长期盈利能见度。

在产能规划层面，据 TrendForce，SK 海力士 HBM4 大规模量产时间节点已推迟，有效放量预计将延至 2026 年第三季度。受此影响，其全年 HBM4 出货量预测从 4500 亿 Gb 下调至 4000 亿 Gb。

三星：HBM4 营收破 10 亿美元，加速追赶

与 SK 海力士的审慎姿态形成鲜明对比，三星正在 HBM4 赛道上全力提速。据韩联社及 ZDNet 报道，三星 HBM4 营收已超过 10 亿美元，按 6 月底预测，这一数字有望进一步突破 12 亿美元。

TrendForce 指出，三星在 HBM4 上的技术优势来自于底层芯片采用 4nm FinFET 制程节点，其认证时间线领先于竞争对手。受益于此，三星全年 HBM4 出货量预测已从 3500 亿 Gb 小幅上调至 4000 亿 Gb。

三星此番在 HBM4 上的强势表现，也被视为对 SK 海力士高带宽内存市场主导地位的直接挑战——后者正是凭借 HBM 领域的领先优势，推动股价年内累计涨幅一度超过 340%。

多重利空叠加，股价承压

SK 海力士股价周二下跌 7.5%，从前一交易日创下的历史高点₩ 2,945,000 大幅回落。此前，该公司市值已短暂超越三星电子，成为韩国市值最大的上市公司。

此次回调是多重因素共振的结果。

首先，历史高点附近的获利了结压力本身已较为充分；其次，HBM4 放缓扩产的报道引发市场对其竞争地位的担忧；此外，韩国 Hana Securities 分析师此前曾发布报告警告，SK 海力士市值超越三星的时刻，可能是 KOSPI 牛市见顶的信号，并将其类比于 2000 年互联网泡沫高峰期思科短暂登顶标普 500 的历史。尽管多数分析师认为这一类比并不贴切，但相关讨论仍对市场情绪形成压制。

宏观环境同样提供了负面背景：纳斯达克指数隔夜下跌 1.3%，拖累全球芯片板块情绪；KOSPI 当日跌幅一度超过 5%，触发短暂熔断；与此同时，有报道称韩国将不会被纳入 MSCI 发达市场指数的即将进行的评审，进一步打压了市场信心。