7 月 31 日早盘，存储芯片概念大幅高开，兆易创新（603986.SH）、德明利（001309.SZ）、太极实业（600667.SH）、普冉股份（688766.SH）一字涨停，多只个股涨超 10%。

昨日晚间，美股半导体板块迎来反弹，费城半导体指数大涨超 8%。存储芯片概念股同步走强，闪迪股价涨幅扩大至 20%，希捷科技涨超 16%，美光科技涨超 12%，SK 海力士涨超 11%。

分析人士表示，微软和 Meta 均用业绩和资本开支计划打消了市场对 AI 投资放缓的担忧，这直接引发了 AI 相关概念股的反攻，芯片股则成为反弹先锋。

两巨头财报超预期，AI 成核心增长引擎

本轮反弹的重要催化来自微软和 Meta 最新公布的财报。

微软最新公布的年报显示，2026 财年公司总营收为 3318.39 亿美元，同比增长 18%；归母净利润为 1337.49 亿美元，同比增长 31%；稀释每股收益为 17.95 美元，同比增长 32%。

在三大业务板块中，生产力与业务流程营收为 1399.96 亿美元，同比增长 16%；智能云实现营收 1377.91 亿美元，同比增长 30%；个人计算营收为 540.52 亿美元，同比下降 1%，智能云业务已成为核心增长引擎。

在截至 6 月末的公司第四财季，该公司云业务 Azure 收入同比增长 43%，AI 业务需求保持旺盛。在 AI 业绩增长驱动下，微软股价周四大涨 15.51%，创下自 2008 年以来的最大单日涨幅。

Meta 同样交出了远超市场预期的业绩，并上调了全年资本开支指引。该公司二季度总营收达到 608.01 亿美元，同比增长 28%，其中广告营收 593.63 亿美元，同比增长 27%。具体来看，其广告投放量同比增长 14%，平均广告单价同比增长 12%，实现量价齐升。

此外，Meta 资本开支大幅提升，二季度资本开支达到 310.8 亿美元，全年指引为 1300 亿美元至 1450 亿美元。Meta 明确表示，公司将继续大规模投入 AI 基础设施建设，以支持广告推荐系统和 AI 产品发展。

供需缺口扩大，行业景气上行

除海外短期情绪催化外，全球存储芯片行业基本面的改善，也是本轮行情的重要支撑。随着大模型训练、AI 推理、智能云计算等产业快速落地，AI 服务器对高端存储芯片的需求呈指数级增长态势。

相较于传统服务器，AI 服务器的 DRAM、NAND 闪存消耗量大幅提升，同时 HBM 等高端存储产品成为算力设备的刚需配件。

SK 集团相关负责人表示，预计明年全球 AI 半导体需求同比增长 60% 至 100%，整体存储市场需求增幅预计达到 50% 至 60%。新增供应量几乎为零，供需缺口恐将进一步扩大。

在业内人士看来，HBM 高度定制化，出现供给过剩的概率较低。未来几年，中国存储产业的发展可能成为改变全球存储芯片供应格局的最大变量。根据摩根士丹利的预测，2028 年前，中国新增 DRAM 晶圆产能将占全球增量的 30%，规模仅次于韩国。

兆易创新是国内存储芯片设计领域的龙头企业，其设计生产的 NOR Flash、SLC NAND Flash、利基型 DRAM 和 MCU 在国内处于领先水平，其中 NOR Flash 和 MCU 排名更是位列全球前三。

普冉股份是专注于利基型存储芯片（如 NOR Flash、SLC NAND）的设计公司。2025 年年报显示，随着公司大容量 NOR Flash、M0+、M4、Driver 等逐步放量，公司快速把握新增市场机遇，提高新产品市场渗透率，市场地位不断提高。

江波龙（301308.SZ）主营存储器和主控芯片的研发设计、封装测试等，该公司在端侧 AI 存储领域持续深耕，依靠自研主控、自研固件、自主封测等优势能力，推出 UFS4.1、超薄 ePOP5x、超薄 ePOP4x、超小尺寸 eMMC 等新型嵌入式产品。2025 年年报显示，该公司自研主控芯片的 UFS 4.1 产品将于 2026 年全面进入规模化放量阶段，有望扩大公司在超高端存储领域的领先地位。