三星近日在 "2026 年内存与存储未来大会 " 上公布其 AI 存储新战略，重点推出基于晶圆键合与 3D 堆叠技术的三大核心方案：超过 400 层的键合 V-NAND 架构、垂直堆叠高带宽内存概念 zHBM，以及下一代 NAND 方案 zNAND-O。该战略旨在突破现有高带宽内存（HBM）和 NAND 技术的极限，满足数据中心大规模 AI 训练及边缘 AI 应用对带宽、密度和能效的严苛要求。

zHBM：重构存算架构，性能预计跃升八倍

作为战略核心，zHBM 革新了 HBM 的物理布局。传统方案中 HBM 通常置于 AI 处理器旁，而 zHBM 通过晶圆键合技术将 HBM 直接堆叠于 AI 加速器之上，大幅缩短数据传输物理距离。三星表示，这种设计不仅提升了大规模 AI 训练和推理的带宽，还显著改善了能效。

据官方数据，基于 zHBM 的下一代接口系统性能预计达到 HBM5 的八倍。借助晶圆键合，其内存密度有望超过 HBM5 的十倍，能效提升三倍，热阻降低一半以上，从而构建更稳定、易散热的高容量高带宽系统。此外，zHBM 支持定制化布局，允许在内存堆栈与加速器之间嵌入特定 IP 层，用于扩展容量或添加针对特定 AI 负载优化的逻辑电路。

zNAND-O 与 V10：聚焦边缘 AI 与高密度存储

针对边缘 AI 场景，三星推出了高性能 NAND 解决方案 zNAND-O。该产品目前开发有四层和八层版本，兼具高空间效率、改进的 I/O 性能和低延迟特性，定位为介于传统大容量存储与快速推理内存之间的中间形态，旨在支持靠近数据源的实时密集型 AI 应用。

在具体产品方面，三星展示了业界首款键合 V-NAND 架构设备—— V10 BV-NAND。该器件利用晶圆键合技术在单芯片内实现超 400 层堆叠。三星称，相较于上一代 V9，V10 BV-NAND 的内存密度提升约 58%，并在读写及 I/O 性能上实现全面超越，致力于为未来 AI 系统提供高性能、高容量的存储支持。

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