随着 7 月 30 日三星电子发布第二季度财报，国际三大存储芯片厂商三星电子、SK 海力士、美光科技第二季度 / 最新财季财报就此出齐，三家公司各自刷新了成立以来的最高业绩纪录。

但创纪录的业绩并没有带来创纪录的股价。最近一个多月，这三家公司的股价都经历了大幅回撤。市场观点认为，投资者的抛售逻辑是担忧这一轮行业繁荣会重蹈过去几十年间反复出现的 " 涨价—扩产—过剩—暴跌 " 的 " 死亡循环 "。

从公开信息来看，尽管三巨头的资本开支确实在大幅增加，但经历多轮周期起落之后，三巨头这次在扩产上显得克制了许多——主要聚焦 AI 方向，并非全面扩产。比如，SK 海力士 2026 年的资本支出预计接近 50 万亿韩元（约合 350 亿美元），新增先进制程产能几乎全部投向了 HBM（高带宽存储器）和 AI 服务器用 DRAM（动态随机存取存储器），消费电子端的供给反而因产能向 AI 倾斜进一步收紧。

一位长期关注存储行业的职业投资人告诉经济观察报记者，三巨头在 AI 方向集中扩产的同时，还做了另一件事——各自与下游客户签订了三至五年期的长期供应合同，并在其中约定了保底价格和照付不议（即无论买方是否提货都必须按约定金额付款），买方则以预付款和保证金作为履约保障。

美光管理层在 6 月 25 日的财报电话会上也确认，该公司已签的 16 份五年期战略客户协议按保底价格计算的毛利率，超过了历史上任何一轮周期的最高值。

并且，三巨头在财报会上给出的下一季度业绩指引仍在继续上调。比如，美光的下一季度营收指引中值为 500 亿美元，远超市场此前预期的 432 亿美元，到 2027 年的供需展望也没有转弱的迹象。三星管理层在 7 月 30 日的电话会上判断，2028 年之前不太可能出现显著的新增供应，新建晶圆厂从动工到量产需要超过三年，在建项目对应的产能增量短期内无法兑现。SK 海力士管理层在 7 月 29 日的电话会上确认，下半年 AI 相关需求将继续加速，公司第三季度 DRAM 出货量预计环比增长中个位数百分比，到 2027 年的供需展望没有转弱迹象。

这次，存储产业会打破此前的 " 死亡循环 " 吗？

三巨头能在长期供应协议（下称 " 长协 "）中争取到保底价格、照付不议和大额预付款等有利条款，前提是买方在当前的供需格局下 " 没有商量的余地 "。

美光管理层在二季度财报电话会上判断，供需紧张将持续到 2027 年之后。三星存储业务执行副总裁金在俊于 7 月 30 日的业绩电话会上表示，2027 年的供需缺口将比 2026 年更严重，并且在 2028 年之前不会出现显著的新增供应。

高盛在 8 月 4 日发布的名为《解答存储行业八大核心问题》的研报中测算，2026 年全球 DRAM 的供需缺口（供给减去需求占需求的比例）为 -4.9%，是过去 15 年来最严重的一次，预计 2027 年供需将更加紧张。

一位接近 SK 海力士的供应链人士告诉经济观察报记者，最近一个月，原厂的扩产节奏明显加快，与美国客户签订的长期合同使得厂商对未来需求的能见度大幅提高，但 2028 年上半年之前的产能规划早已锁定，新增项目对应的产能要到 2028 年下半年才能开始释放。制约扩产速度的关键环节是 EUV（极紫外光刻机，目前唯一能用于生产先进制程存储芯片的光刻设备）。这种设备的交货周期已超过两年半。

该人士介绍，SK 海力士公开的产能目标是 "2030 年在 2025 年底的基础上翻一倍 "，对应年均增速约为 16% — 17%。

设备交付周期卡住了供给总量的增长，存量产能内部的分配同样存在约束。芯片说 ICTIME 首席分析师林美炳告诉经济观察报记者，HBM 的光刻、刻蚀等工艺步骤数量约为常规 DRAM 的 3 倍，每建成 1 万片 HBM 月产能大约要消耗 3 万片常规 DRAM 的月产能进行转换。当前全行业 HBM 月产能约为 32.6 万片 12 英寸等效晶圆（三星约为 14 万片，SK 海力士约为 15 万片，美光约为 3.6 万片），仍然不够。

群智咨询半导体分析师王旭东称，AI 服务器在 2026 年已占全球 DRAM 晶圆产能约 50%，2027 年这一比例预计升至约 60%。

HBM 每多投 1 片晶圆，常规 DRAM 的供给就要减少 3 片，两类产品的紧缺相互强化。以往每一轮存储周期的高利润期，三巨头是往各个方向全面扩产，但这次扩产方向高度集中在 AI，消费端的供给缺口因此比以往更加持久。

更反常识的是两类产品之间的利润对比。

前述接近 SK 海力士的供应链人士透露，HBM3E（第三代增强版高带宽存储器，当前 AI 加速芯片搭载的主流内存产品）目前每 GB 的单价约为 12 — 13 美元，下半年开始到货的 HBM4 每 GB 的单价约在 16 — 19 美元之间，两款产品 2026 年的定价均低于同期 DDR5 的售价。

目前，常规 DDR 产品的行业平均毛利率普遍在 80% 以上，HBM 因封装和 TSV（硅通孔，一种在多层芯片之间钻孔连接数据线的技术）环节的良率损耗，毛利率约为 50% — 70%。

高盛在前述研报中预计，到 2026 年底，常规 DRAM 的平均价格将升至约 2 美元 /Gb（2025 年底为 0.5 至 0.6 美元 /Gb），截至第二季度，常规 DRAM 每 GB 的定价已经超过 HBM。该机构预计，2027 年 HBM 的混合平均售价需同比上涨 87% — 100%，才能重新恢复相对于常规 DRAM 的溢价。

前述接近 SK 海力士的供应链人士认为，2027 年 HBM 将出现一轮大幅补涨，目前 HBM 采用年度议价，定价未能跟上市场行情。

大买家甚至因此正在修改产品设计。市场研究机构集邦咨询（Trend－Force）8 月 4 日发布的研究报告显示，英伟达已从今年第三季度起将下一代 GPURubinUltra 的 HBM 配置，从 HBM4E12 层堆叠改为并行评估 HBM4E8 层、HBM412 层、HBM48 层等多种降规方案；英伟达还因为 LPDDR5X（一种服务器和移动端广泛使用的低功耗内存）持续短缺，决定将下一代超级芯片模组搭载的内存容量减半。

集邦咨询预计，2027 年 HBM 出货比特将同比增长 50% — 60%，但仍不足以满足需求。

连英伟达都开始为拿不到够用的存储器而降低产品规格，其他买家面对至少持续到 2028 年的供需缺口，能做的似乎只剩下 " 提前签约锁定供应 "。

过去多年来，存储芯片的交易方式一直是按季度议价。

每个季度初，原厂先设定一个临时价格用于出货，最终结算价在季度末的最后一个月敲定。价格跟着市场供需走，涨跌完全由当季行情决定，买卖双方都在一个季度为单位的博弈中寻找各自的最优解。

正是这种按季议价的模式，使得存储芯片的价格波动幅度远超其他半导体产品，原厂的利润随着价格剧烈起伏，资本市场也长期把存储股当作典型的周期股来定价。

现在，三巨头的做法是把延续多年的按季交易，切换成三至五年的长期合同。

记者在采访中了解到，这类合同主要包含几个核心条款：买卖双方约定三至五年的供应数量，单价每年重新审议一次，价格设有上限与下限，构成一个 " 价格走廊 "，买方以照付不议、预付款或保证金作为履约保障，部分合同还约定了保底收入金额。

多位受访者告诉记者，过去存储行业也零星出现过年度供应协议，但期限通常不超过一年，覆盖比例很小，条款中没有保底价格和照付不议，约束力有限。

这一轮三巨头推进的长协，在期限、规模和约束力上都跟以往不在一个量级上。

美光在 2026 财年第三财季签署了 16 份战略客户协议（SCA），期限五年，条款为照付不议，其中 14 份设有保底价格，按保底价计算的金额合计约为 1000 亿美元。美光预计将收到约 220 亿美元的现金存款和信用证作为履约保障（约 180 亿美元现金、40 亿美元信用证），目标是让这类协议最终覆盖 40% 以上的营收。

三星的覆盖范围更大。金在俊 7 月 30 日表示，三星计划将 60% — 70% 的产能分配给多年期长协，考虑到寻求签约的客户数量还在增加，这一比例可能会进一步上升；以五年为基础、每年滚动续约，全球前五大数据中心客户全部签约，另有五家大型 AI 客户处于最后谈判阶段，三星已收到约定的预付款总额的约四分之一。

此外，SK 海力士 DRAM 营销负责人朴俊德 7 月 29 日也确认完成约 10 家核心客户的谈判，但没有说明长协将覆盖总销售额的比例。

根据高盛 7 月 29 日发布的相关研报，目前超过半数的服务器 DRAM 已经纳入长协覆盖。

当然，长协的覆盖范围并不止于 DRAM。NAND 闪存厂商闪迪 8 月 5 日确认与 8 家客户签署多年期长协（闪迪称之为 " 新业务模式 "），加权平均期限超过四年，按保底价计算的收入合计为 939 亿美元，配套财务担保为 165 亿美元。闪迪首席执行官戴维 · 戈克勒表示，这些长协预计将在 2027 财年覆盖闪迪超过 50% 的比特产能，2028 财年达到约三分之二。

买方愿意接受这些条款，核心原因是供给缺口的时间跨度足够长，没有 " 等一等价格会降 " 的回旋空间。

深圳一家大型存储模组厂商的产品经理称，当前服务器内存严重短缺，无论是 CPU 服务器还是 GPU 服务器的内存都存在供给缺口，甚至到了需要对服务器进行减配的程度，客户的首要需求是拿到货，而不是谈一个更好的价格。

价格条款的细节进一步体现了卖方的强势地位。

美银证券在 8 月 1 日发布的一份研报中分析认为，三星在长协中将价格下调的幅度控制在环比不超过 5%，上调空间在 10% — 20% 以上且没有上限。三巨头在价格上涨时跟随市场受益，在价格下跌时由条款中约定的下限托住收入。

林美炳称，签了长协的几家美国大型云计算客户，2027 年的供应价格已基本锁定，期限通常覆盖到 2030 年甚至 2035 年，鉴于 2027 年仍然缺货，卖方没有理由提供更低的价格。他判断，价格出现回调的可能性在 2028 年之后，届时行业产能开始增加，定价才会有调整空间。

高盛在前述研报中比较了相关的长协条款后认为，期限、覆盖范围、定价机制与履约约束四个维度全部在向有利于供应商的方向演变，这种商业模式的转变有望拉长存储厂商高盈利的持续时间，支撑存储厂商的估值中枢从此前的 5 至 6 倍，提升至 8 至 10 倍。

戴维 · 戈克勒在 8 月 5 日的电话会上说，三四个季度之前市场还在按季度议价，如今闪迪已经拥有超过四年的需求能见度，部分客户签约一个季度后就回来追加未来数年的采购量，" 以前，这只是一场每个季度进行一次的供应链价格谈判 "。

值得注意的是，上述长协主要覆盖的是常规 DRAM 和 NAND 闪存。HBM 的销售模式有所不同，由于每一代 HBM 都需要针对特定 AI 芯片做定制验证，原厂通常与英伟达等核心客户按年度单独议价，提前锁定下一年的价格和数量。

美光管理层在财报电话会上确认，该公司 2026 年全年的 HBM 供应已经全部售罄，价格和数量均已敲定。

目前，DRAM 合约价的环比涨幅已经在逐季收窄。据集邦咨询统计，2026 年第一季度 DRAM 合约价环比涨幅约为 90%，第二季度降至约 60%。多位业内人士称，第三季度涨幅预计进一步收窄至 13% — 18%。

涨价的斜率在放缓，但距离见顶还有多远？

在林美炳看来，2027 年年中之后存储芯片的价格涨幅将明显收敛，2028 年随着新产能释放价格存在回调空间。

前述接近 SK 海力士的供应链人士称，目前原厂的库存约为 2 — 4 周，低于 4 — 5 周的正常水平，更远低于以往下行周期启动前通常出现的 10 周以上，供需逆转的信号尚未出现；价格出现实质性回调的可能性在 2028 年下半年之后。

即便 2028 年之后价格开始回调，行业内的判断依然是价格下行的节奏将跟以往 " 大为不同 "。

前述存储模组厂商的产品经理告诉记者，消费电子会最先感受到价格松动，利基型产品（智能音箱、机顶盒等）其次，服务器再次，汽车电子因为长协期限最长、市场体量最小，将是最后一个调整的环节。

也就是说，以往每轮存储周期下行，价格在几个月之内就会全线崩盘；但这次，三巨头通过长协把不同客户、不同产品线的价格调整周期 " 错位拉开 " 了。

另外，全球存储市场的竞争格局在 2028 年之后也将出现新的变量，关键词是长鑫科技（688825.SH）。

长鑫科技 7 月 27 日在科创板挂牌上市，募集资金约为 579 亿元，上市以来市值曾一度逼近 4 万亿元大关。根据市场研究机构 Omdia 的出货统计，该公司 2025 年第四季度的全球 DRAM 销售额份额为 7.67%，位居全球第四。

据记者了解，长鑫科技的生产成本和终端报价均低于海外同类产品约一成，三巨头主动将先进制程产能转向 AI 之后，消费电子端腾出的市场空间，正由长鑫科技填补。

林美炳告诉记者，在 DDR 和 LPDDR 两条主流产品线上，国内存储厂商与海外龙头基本没有代差，中国 DRAM 企业的服务器产品收入占比近年增长很快，DDR5 的出货拉动了这一结构性变化。

林美炳认为，国内存储厂商面临最大的技术挑战在 HBM 领域，海外三巨头已能量产 HBM3，部分厂商完成了 HBM4 的量产验证；国内企业的 HBM3 尚处于产能爬坡验证阶段，技术差距约为两代。他同时表示，国内企业没有历史产线的负担，无法采购 EUV 光刻机的情况反而促使它们在 VC-T（垂直沟道晶体管）和晶圆键合两条全新技术路径上布局，有在下一代架构上缩短差距的可能。

据记者了解，长鑫科技目前正在与一家国内成熟制程晶圆代工厂推进 CBA（一种将存储芯片和逻辑芯片分别制造后混合键合的封装技术）方面的合作，长鑫制造存储晶圆，合作方代工逻辑晶圆，以此构建国产 HBM 的完整制造链条。

一位接近长鑫科技的知情人士告诉记者，长鑫的 LPDDR6（手机和移动端使用的下一代低功耗内存）产品目前已接近研发验证尾声，首款产品设计规格速率为 12800Mbps，采用 16Gb 颗粒，有望于 2026 年下半年实现量产导入。

王旭东认为，国内终端品牌和 AI 服务器厂商为保障供应链稳定，正在大幅提升国产 DRAM 的采购导入比例，通用 DRAM 和消费级 NAND 的国产替代将持续渗透，但高端 HBM 和 AI 企业级存储短期内尚难以形成大规模替代。

消费端的承压也在改变存储行业的需求结构。

前述存储模组厂商的产品经理告诉记者，2026 年全年手机存储需求的同比下修幅度预计在 15% — 20%，第二季度部分手机厂商无法接受三星的报价而大幅削减采购量，消费类存储到第四季度可能就 " 涨不动了 "。

7 月 30 日，苹果首席执行官蒂姆 · 库克在其主持的最后一场财报电话会上，形容当前这轮存储涨价是 " 百年一遇的洪水 "。苹果产品毛利率正因内存成本上涨而持续承压。苹果首席财务官凯文 · 帕雷赫确认，最近两个季度毛利率的环比降幅 " 超过 100% 可以由内存成本变化解释 "，公司对下一季度的毛利率指引进一步下调至 47% — 48%。

王旭东测算，以 "4GB+128GB" 配置的千元机为例，存储成本占整机物料成本已从 2025 年第三季度的 22% 升至 2026 年第三季度的 64%。他预计，2027 年售价低于 1500 元的智能手机将很难看到。

不过，在消费端收缩的同时，新的需求来源也在积蓄。

林美炳告诉记者，车规级存储在中国市场的增长非常强劲，ADAS（高级驾驶辅助系统）的快速渗透正推动智能座舱和自动驾驶域控制器对存储容量需求的大幅提升，中国区车规存储的同比增速预计达到 70% — 80%。

此外，CXL（一种支持服务器之间内存池化共享的互联技术）预计 2028 年前后将随着英伟达和谷歌的采用开始放量，目前各家厂商已有样品，但尚未量产。另外，高带宽闪存 HBF（介于 HBM 和固态硬盘之间的新型存储层级）的首个行业标准规范也在 8 月 4 日由 SK 海力士和闪迪联合发布，预计 2027 年底出货。

2028 年之后，如果这些新需求来源起量，有可能会部分对冲新增存储产能带来的供给宽松。

前述存储模组厂商的产品经理认为，目前存储的涨价斜率虽然在逐季收窄，但三巨头在 2027 年的利润规模仍然有可能超过 2026 年。他强调，市场现在争论的焦点集中在 " 周期何时见顶 "，但对三巨头来说，更重要的变量可能是长协覆盖的比例能走到多高，" 美光的目标是 40% 以上，三星已经到了 60% — 70%，如果最终行业的长协平均覆盖率稳定在 50% 以上，那么即便现货市场出现波动，原厂有一半以上的收入是锁定的，盈利的波动幅度会比以往任何一轮周期都小得多 "。