美光计划将高带宽内存（HBM）产能较去年扩大一倍。公司将在年底前推进激进的设备投资，强化新一代 HBM —— HBM4 12 层产品的供货能力。此举意在补齐相较于三星电子、SK 海力士的 HBM 产能短板，提升市场份额。

据 3 日业内消息，美光计划至今年年底，HBM 产能（以晶圆为统计口径）最多每月新增 6 万片。美光去年 HBM 月产量维持在 4 ‑ 5 万片的水平，今年的净增量将超过去年的原有产能。

一位熟悉相关业务的业内人士表示：" 美光正在开展大规模设备投资，快速提升 HBM4 产能。到今年年末，将实现月产约 10 万片的 HBM 产能规模。"

为达成上述产能目标，美光正向多家 HBM 制造设备厂商增加采购订单（PO）。据了解，美光的 HBM 生产基地目前设备正在持续进场。

预计 HBM4 12 层的产出占比将大幅提升。目前美光 HBM 产出绝大部分为 HBM3E 12 层。今年年初，HBM4 12 层占整体产量的比重仅有 20% ‑ 30%，据悉到年底该占比最高将提升至 50%。

HBM412 层将搭载于全球头部 AI 芯片企业英伟达的 Vera Rubin。美光已于今年第二季度启动 HBM4 12 层的量产工作。