美光科技正大举扩张高带宽内存（HBM）生产能力，剑指全球 AI 内存市场更大份额。

据韩联社 4 日援引业内知情人士透露，美光计划在今年年底前将 HBM 月产能提升至约 10 万片晶圆，较去年增幅接近一倍，届时与三星电子和 SK 海力士之间的产能差距有望缩小至目前的一半左右。与此同时，该公司正加速推进最新一代 HBM4 12 层产品的量产爬坡，以匹配英伟达新一代 AI 加速器的需求。

这一动向折射出 AI 内存市场需求持续旺盛的底色。以英伟达为代表的 AI 芯片厂商对 HBM 的需求居高不下，供给仍追赶不上需求节奏。对于市场份额仅 18%、长期位居第三的美光而言，此轮产能扩张既是争夺市场地位的关键一役，也是将 AI 内存需求红利转化为实际营收的必要之举。

产能目标：年底前月产能冲击 10 万片

据业内知情人士向媒体透露，美光计划在今年年底前新增最多月 6 万片晶圆的 HBM 产能。去年该公司 HBM 月产量约为 4 至 5 万片，这意味着新增产能将超过原有基数，总产能规模有望达到约月 10 万片。

为实现上述目标，美光正向多家 HBM 制造设备供应商增加采购订单，相关设备持续运入其中国台湾和新加坡工厂。目前，美光 HBM 封装业务主要在中国台湾铜锣厂和新加坡兀兰厂推进，日本广岛工厂的设备投资也在筹备之中。

在产品结构上，美光正快速向 HBM4 12 层倾斜。目前其 HBM 产量仍以 HBM3E 12 层为主，但据悉 HBM4 12 层的占比将从今年初的 20% 至 30%，提升至年底的最高 50%。

HBM4 12 层是英伟达最新 AI 加速器 "Vera Rubin" 的配套内存，美光已于今年第二季度启动该产品量产。美光 CEO Sanjay Mehrotra 在今年 6 月的 2026 财年第三季度业绩发布会上表示，HBM4 12 层的量产爬坡速度约为 HBM3E 12 层的两倍，HBM4 累计出货收入已突破 10 亿美元。

市场格局：三强差距或显著收窄

尽管美光是全球三大 HBM 制造商之一，但其产能与三星电子、SK 海力士相比仍存在明显差距。业内普遍认为，三星和 SK 海力士各自的 HBM 月产能约为 15 至 20 万片，分别是美光的 3 至 4 倍。若美光无法缩小这一差距，将难以改变长期位居第三的市场格局。

根据市场调研机构 Counterpoint Research 数据，今年第二季度全球 HBM 市场份额中，SK 海力士以 50% 位居首位，三星电子占 32%，美光占 18%。若产能扩张目标如期实现，美光与两大竞争对手之间的产能差距有望压缩至目前的一半水平，市场份额的重新分配或将随之而来。