三星:3nm 工艺最早 2021 年量产

 

IT 之家1 月 12 日消息   在去年 5 月的 Samsung Foundry Forum 论坛上,三星宣布了 5/4/3nm 工艺技术。据今日 Tom's Hardware 带来的消息,三星计划最早在 2021 年开始量产 3nm 工艺芯片。

除此之外,三星方面还表示,将在今年下半年开始生产 7nm EUV 芯片。在去年,三星还表示将在 2020 年用上 4nm GAAFET(Gate-all-around FET,或称 " 环绕式结构 FET")工艺。不过包括 Garner 副总裁 Samuel Wang 在内的一些业内人士,对 GAAFET 芯片是否能在 2022 年前投入生产表示了怀疑。

虽然台积电、格罗方德 Global Foundries)在 EUV 芯片开发上方面并不落后,但三星也有自己的一个优势。三星已经在内部开发了自家了 EUV 掩膜检测工具,只是尚未开发出类似的商业工具。

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