IT之家 03-05
合肥长鑫 12 英寸存储器晶圆项目已提前达到预期产能
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IT 之家 3 月 5 日消息 合肥产投集团官微今日发文《潮起正是扬帆时——合肥产投集团成立六周年发展纪实》,透露了合肥长鑫国产内存的产能情况。

官方表示,瞄准产业发展中高端环节,全力推进长鑫项目实现突破性进展,增强产业链自主可控能力,成为打造世界一流存储产业集群的重要底气,以长鑫项目、中国声谷项目、中欧班列等重大项目为抓手,进行 " 补链、延链、强链 ",激发产业 " 链 " 式效应、实现产业集聚发展。

据悉,截至 2020 年底,合肥长鑫 12 英寸存储器晶圆制造基地项目提前达到预期产能,实现了从投产到量产再到批量销售的关键跨越。也就是说,合肥长鑫 12 英寸存储器晶圆制造基地项目已在去年年底提前达到 4 万片 / 月产能,现已启动 6 万片 / 月产能建设目标。

IT 之家了解到,合肥长鑫是国产芯片的代表企业,主要从事动态随机存取存储芯片 ( DRAM ) 的设计、研发、生产和销售工作。

据公开资料,长鑫存储目前已建成第一座 12 英寸晶国厂并投产,拥有 19 纳米(1X 纳米)的工艺制程能力,是规模最大、技术最先进的中国大陆 DRAM 设计制造一体化企业。

据悉,长鑫已经在 2019 年完成了首颗国产 19nm 工艺的 DDR4、LPDDR4 内存研发量产,目前旗下产品已经用在了多家国产厂商的内存中,该公司也是全球第四家 DRAM 产品采用 20nm 以下工艺的厂商。

从长鑫的规划日程来看,预计长鑫将于 2021 年完成 17nm 的工艺研发,并进一步加速向 DDR5 DRAM 产品研发迈进。

值得一提的是,IT 之家曾报道,安徽省经济和信息化厅去年印发了《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》。《方案》要求实现中高端移动、平板及消费类产品 DRAM 存储芯片的自主可控;研发出更先进的 LPDDR5 并实现产业化;14/15nm 工艺研发等。此次官方的 DRAM 发展任务显然是落在了长鑫头上,而官方为企业指定的计划时间是 2-3 年,但根据长鑫此前的路线图,长鑫早已开始研发下一代 DDR5/LPDDR5 内存等工艺技术,预计长鑫有望三年内攻坚 LPDDR5 内存。

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