导语：近日，杭州镓仁半导体有限公司宣布，采用自主开创的铸造法，成功制备了高质量 6 英寸非故意掺杂及导电型氧化镓单晶。

3 月 21 日消息，近日，杭州镓仁半导体有限公司宣布，公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法，成功制备了高质量 6 英寸非故意掺杂及导电型氧化镓单晶，并加工获得了 6 英寸氧化镓衬底片。

杭州镓仁半导体，也成为国内首个掌握 6 英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。

据介绍，氧化镓因其优异的性能和低成本的制造，成为目前最受关注的超宽禁带半导体材料之一，被称为第四代半导体材料。

该材料主要用于制备功率器件、射频器件及探测器件，在轨道交通、智能电网、新能源汽车、光伏发电、5G移动通信、国防军工等领域，均具有广阔应用前景。

该公司表示，此次制备 6 英寸氧化镓衬底采用的铸造法，具有以下显著优势：

第一，铸造法成本低，由于贵金属 Ir 的用量及损耗相比其他方法大幅减少，成本显著降低；

第二，铸造法简单可控，其工艺流程短、效率高、尺寸易放大；

第三，铸造法拥有完全自主知识产权，中国和美国专利已授权，为突破国外技术垄断，实现国产化替代奠定坚实基础。

目前而言，日本的 NCT 在氧化镓衬底方面，仍占据着领先地位，但国内也总体呈现追赶态势。

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