【CNMO 科技消息】近日，CNMO 注意到，据日经报道，佳能公司在半导体制造领域取得了重大突破，其纳米压印（NIL）技术成功实现了商业化，并在性能上接近了阿斯麦的极紫外光（EUV）曝光装置。

图源水印

据报道，佳能公司的纳米压印技术具有出色的图案制造能力。通过像盖章一样将纳米级别的图案刻在掩膜上，然后转印到晶圆上，该技术能够绘制出 5 纳米级半导体工艺所需的最小线宽为 14 纳米的电路图案。这种能力使得纳米压印装置在制造复杂图案时具有显著优势，因为即使是复杂的图案也可以在单次曝光中完成转印，从而大大简化了制造过程。

与此同时，佳能的纳米压印技术在能源消耗方面表现出色。与 EUV 曝光装置相比，纳米压印装置的耗电量仅为前者的十分之一。这是因为纳米压印的制造工艺相对简单，不需要像 EUV 曝光那样使用高能耗的光源和复杂的反射系统。这种低能耗特性使得纳米压印技术在长期运行中具有更高的经济效益和环保优势。

此外，佳能的纳米压印技术还具有较低的成本优势。虽然具体的价格尚未公布，但由于纳米压印装置的结构相对简单，其制造成本很可能低于 EUV 曝光装置。这使得纳米压印技术在市场推广和普及方面更具竞争力。