快科技 4 月 7 日消息，铠侠首席技术官 Hidefumi Miyajima 近日披露，铠侠计划在 2031 年批量生产超过 1000 层堆叠的 3D NAND 闪存。

铠侠现有的最新闪存技术是 2023 年 3 月推出的第八代 BiCS，堆叠了 218 层，接口速度 3200MT/s。

至于使用什么样的新技术、新工艺才能达到 1000 多层，铠侠没有明说。

目前堆叠层数最多的闪存技术来自 SK 海力士，达到了 321 层，不过要到 2025 年上半年才能量产。

有趣的是，三星方面此前声称，计划在 2030 年实现 1000 层闪存 ( SSD 容量也规划到了 1000TB ) ，不知道和铠侠谁能最先做到。

三星的 V-NAND 已经推进到第九代，将在明年初量产，基于双堆栈架构，可达成业界最高堆叠层数，预计超过 300 层，再往后的第十代则会达到 430 层左右。