快科技 4 月 9 日消息，美国政府宣布，计划向台积电提供 66 亿美元现金补贴、50 亿美元低息贷款，总额 116 亿美元，约合人民币 840 亿元，支持其在美国本土的芯片制造。

这是美国根据《芯片与科学法案》所批准的最大一笔投资。

同时，台积电计划在美国亚利桑那州凤凰城建设第三座晶圆厂，在美投资总额将超过 650 亿美元，约合人民币 4700 亿元。

台积电在美国第一座晶圆厂 Fab 21 一期工程计划 2025 年上半年投产，引入 5nm、4nm 工艺。

Fab 21 二期工程计划 2028 年投产，上马 3nm、2nm 工艺。

二者合计年产能可超过 60 万块晶圆，产品市场价值超过 400 亿美元。

最新规划的第三座晶圆厂计划升级到 2nm 和更先进工艺，但投产时间未定，可能要到 2029-2030 年，也就是第二座工厂完工之后。

台积电的这些投资，将为美国创造 6000 个高科技制造工作岗位，以及超过 2 万个建筑工作机会，还会花费 5000 万美元培训当地工人。

不过，台积电在美投资建厂也面临诸多问题，尤其是进度远不如预期，一二期工厂最早规划的投产时间分别是 2024 年和 2026 年。

美国《芯片与科学法案》的其他高科技投资还有：Intel 85 亿美元直接补贴和 110 亿美元低息贷款、GlobalFoundries 15 亿美元直接补贴、Microchip 1.62 亿美元直接补贴、BAE 3500 万美元直接补贴。

三星也正扩大在美投资，预计可获得 60 亿美元补贴。