台积电（TSMC）宣布，与美国商务部签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），后者将根据《芯片法案》向英特尔提供约 66 亿美元的直接拨款，另外初步提供最高 55 亿美元的贷款。台积电还计划就亚利桑那州工厂资本支出中符合条件的部分，向美国财政部申请最高 25% 的投资税收抵免。

台积电同时还敲定了在亚利桑那州凤凰城建造第三座晶圆厂，通过最先进的制程技术来满足当地客户的需求。随着新增第三座晶圆厂，台积电的 Fab21 项目的资本支出从 400 亿美元提升至 650 亿美元以上。台积电表示，第三座晶圆厂预计将创造约 6000 个直接高科技、高薪工作机会，打造充满活力和具备竞争力的全球半导体生态系统劳动力。

据了解，Fab21 项目的一期工程初期投入 120 亿美元，选择了 4/5nm 工艺的生产线，目前进展良好，计划在 2025 年上半年投产；二期工程原计划选择 3nm 工艺的生产线，现在将推进至 2nm 工艺，预计在 2028 年投产，前两期工程加起来的总产能为每月 5 万片晶圆；新增三期工程将采用 2nm 或更先进的制程技术，预计 2030 年之前投产。

台积电还将实践绿色制造的承诺，在能源效率、节水、废物管理和空气污染管控等方面不断创新，目标实现 90% 的水回收率，亚利桑那州工厂已就达到 " 近零液体排放 " 的目标进行工业再生水厂的设计阶段。