作为全球最大的 NAND 闪存供应商，三星对其 V-NAND 技术的开发制定了宏伟的计划。去年三星曾表示，2024 年初将开始生产第 9 代 V-NAND 技术的产品，继续沿用双堆栈架构，拥有业界最高的层数。

据相关媒体报道，三星计划下个月发布第 9 代 V-NAND 技术，层数将达到 290 层，高于之前所传的 280 层，以替代 2022 年发布的 236 层第 8 代 V-NAND 技术。目前存储行业似乎已进入 " 层层堆叠 " 的激烈竞争当中，而三星看起来领先于 SK 海力士和铠侠等竞争对手。此外，三星还公布了第 10 代 V-NAND 技术上，层数将达到 430 层，计划会在明年到来，或许会引入三堆栈架构。

传闻首款采用第 9 代 V-NAND 技术的是 1Tb（128GB）QLC 3D NAND 闪存芯片，存储密度达到了 28.5Gb mm2，将高于目前业界最高的长江存储产品，后者的存储密度为 20.62Gb mm2。同时 I/O 速率达到了 3.2 Gbps，相比第 8 代 V-NAND 技术的 2.4 Gbps 也要快得多。如果条件允许，三星可能会提供容量为 16TB 的 M.2 SSD，或者是单面 8TB 的产品。

除了提高存储密度外，新款 3D NAND 闪存芯片的性能也将得到提升，其中包括了最大化 3D NAND 闪存输入 / 输出（I/O）速度的新结构。预计三星将带来 990 Pro 系列的继任者，采用 PCIe 5.0 接口的新一代旗舰 SSD。

2022 年三星在 "Samsung Tech Day 2022" 上提出了长期愿景：到 2030 年会将层数提高至 1000 层。不过有着相同目标的 NAND 闪存制造商不止三星一家，此前有报道称，铠侠首席技术官 Hidefumi Miyajima 在近期的一次会议上表示，计划到 2031 年开始批量生产超过 1000 层的 3D   NAND 闪存芯片。