快科技 4 月 16 日消息，三星计划在本月晚些时候开始量产第九代 V-NAND 闪存，可用的堆叠层数达 290 层，相比现在的 236 层只增加不到 23％。

这一代新闪存将采用新的堆叠架构，底部是 CMOS 层加逻辑电路，上边是 145 层闪存阵列，再上边又是 145 层闪存阵列。

这种方法虽然更复杂，但是良品率可以得到很好的保障，而且可以轻松进一步拓展。

按照三星的规划，2025 年下半年将量产第十代 V-NAND，进一步堆叠到 430 层。

更遥远的未来，三星可能会在 2030 年左右做到 1000 层。

中国长江存储可能会在今年下半年量产 300 层，SK 海力士计划明年初量产 321 层，铠侠号称 2031 年量产 1000 多层！