美光宣布，已开始量产 232 层 QLC NAND 闪存，并已经在选定的关键 SSD 中发货。除了消费客户端产品外，还会向企业存储客户及 OEM 厂商提供对应的产品，比如 Micron 2500 NVMe SSD。

美光表示，这次四层单元的 NAND 闪存新品是一项突破性的成就，提供了前所未有的层数和密度，可实现比以往 NAND 闪存更高的存储密度和设计灵活性，并缩短了访问时间。美光 232 层 QLC NAND 闪存通过利用以下重要功能，为移动、客户端、汽车、边缘和数据中心存储的用例提供无与伦比的性能，包括：

全球位密度最高的 OEM 量产型 NAND 闪存，密度比起自家上一代 176 层 QLC NAND 闪存提高了 30%。

业界领先的位密度，领先于竞争对手的最新产品，结构更为紧凑，相比提升了 28%。

业界领先的 NAND 闪存 I/O 接口速度，达到了 2400 MT/s，比上一代提高了 50%。

读取性能比上一代 176 层 QLC NAND 闪存提高了 24%。

写入性能比上一代 176 层 QLC NAND 闪存提高了 31%。

存储解决方案和定制企业级 SSD 设备制造商 Pure Storage 的总经理 Bill Cerreta 表示，美光的 232 层 QLC NAND 闪存是其大容量 DirectFlash 模块的关键，在美光的推动下，让 Pure Storage 在 2028 年之前完成取代数据中心所有机械硬盘的目标上又向前迈进了一步。