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美光宣布量产232层QLC NAND闪存:接口速度达2400MT/s 比上一代提高50%
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快科技 4 月 17 日消息,美光公司近日宣布,已成功实现 232 层 QLC NAND 闪存的量产,并已向特定关键 SSD 客户发货。这款革命性的闪存产品不仅面向消费级客户端,同时还将为企业级存储客户和 OEM 厂商提供强大支持,其中就包括 Micron 2500 NVMe SSD。

美光强调,这款四层单元的 NAND 闪存新品代表了行业的一大突破,其层数和密度均达到前所未有的水平。这种新型闪存不仅能实现比传统 NAND 闪存更高的存储密度和设计灵活性,还能有效缩短访问时间,为各类应用提供更为流畅的体验。

美光的 232 层 QLC NAND 闪存凭借一系列卓越特性,为移动、客户端、汽车、边缘计算及数据中心等多样化存储需求提供了无与伦比的性能。这款闪存产品不仅拥有全球最高的位密度,相比上一代 176 层 QLC NAND 闪存,其密度提升了高达 30%。

在结构上,这款新品也展现出了显著优势,其紧凑程度比竞争对手的最新产品高出 28%。此外,美光的 232 层 QLC NAND 闪存还具备业界领先的 I/O 接口速度,高达 2400 MT/s,较上一代产品提升了 50%。

在性能表现方面,这款新型闪存同样令人瞩目。其读取性能相比上一代 176 层 QLC NAND 闪存提升了 24%,而写入性能更是提升了 31%。这一系列的提升使得美光的 232 层 QLC NAND 闪存成为了市场上的佼佼者。

值得一提的是,知名存储解决方案和定制企业级 SSD 设备制造商 Pure Storage 的总经理 Bill Cerreta 对美光的这款新品给予了高度评价。他表示,美光的 232 层 QLC NAND 闪存是 Pure Storage 大容量 DirectFlash 模块的核心组成部分,其卓越性能将助力 Pure Storage 在 2028 年之前实现数据中心全面取代机械硬盘的宏伟目标。

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