钛媒体 App 4 月 17 日消息，据报道，三星电子曾考虑在美国泰勒建设一座 10nm 先进制程的 DRAM 内存厂，相关商讨一直持续到了协议签署前的最后一刻。美国为该内存厂建设计划提供了优厚条件，三星也对此十分积极，但由于在美国建设先进内存厂在技术上较为困难，成本也较高，且韩国政府表达了反对意见，最终三星电子转而选择在美建设先进封装工厂。