SK 海力士宣布，已经与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代 HBM 产品生产和加强整合 HBM 与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK 海力士计划与台积电合作开发第六代 HBM 产品，也就是 HBM4，预计在 2026 年投产。

SK 海力士表示：" 公司作为 AI 应用的存储器领域的领先者，与全球顶级逻辑代工企业台积电携手合作，将会继续引领 HBM 技术创新。通过以构建 IC 设计厂、晶圆代工厂、存储器厂三方技术合作的方式，公司将实现存储器产品性能的新突破。"

据了解，SK 海力士和台积电首先致力于针对搭载于 HBM 封装内最底层的基础裸片（Base Die）进行性能改善。HBM 是将多个 DRAM 裸片（Core Die）堆叠在基础裸片上，并通过硅通孔（TSV）技术进行垂直连接而成。基础裸片也连接至 GPU，起着对 HBM 进行控制的作用。

SK 海力士包括 HBM3E（第五代 HBM 产品）在内的 HBM 产品，都是基于公司自身制程工艺制造了基础裸片，但 HBM4 开始会采用台积电的先进逻辑（Logic）工艺，以便增加更多的功能。SK 海力士和台积电将协力优化 SK 海力士的 HBM 产品和台积电的 CoWoS 技术融合，以应相关客户对 HBM 产品的要求。

此外，SK 海力士还计划生产在性能和功效等方面更广的满足客户需求的定制化（Customized）HBM 产品。