财联社 4 月 19 日讯（编辑 史正丞）一个月前刚刚宣布量产新一代 HBM3E 高带宽存储芯片的英伟达供应商 SK 海力士，现在又朝着下一代产品迈出崭新征程。

当地时间周五，SK 海力士与台积电发布公告，宣布两家公司就整合 HBM 和逻辑层先进封装技术签订谅解备忘录。双方将合作开发第六代 HBM 产品（HBM4），预计在 2026 年投产。

（来源：SK 海力士）

背景：什么是高带宽内存

众所周知，高带宽内存（High Bandwidth Memory）是为了解决传统 DDR 内存的带宽不足以应对高性能计算需求而开发。通过堆叠内存芯片和通过硅通孔（TSV）连接这些芯片，从而显著提高内存带宽。

SK 海力士在 2013 年首次宣布 HBM 技术开发成功，后来被称为 HBM1 的芯片通过 AMD 的 Radeon R9 Fury 显卡首次登陆市场。后续，HBM 家族又先后迎来 HBM2、HBM2E、HBM3 和 HBM3E。SK 海力士介绍称，HBM3E 带来了 10% 的散热改进，同时数据处理能力也达到每秒 1.18TB 的水平。

（HBM3E 芯片成品，来源：SK 海力士）

技术的迭代也带来了参数的翻倍。举例而言，根据英伟达官方的规格参数表，H100 产品主要搭载的是 80GB 的 HBM3，而使用 HBM3E 的 H200 产品，内存容量则达到几乎翻倍的 141GB。

找台积电做些什么？

在此次合作前，所有的海力士 HBM 芯片都是基于公司自己的制程工艺，包括制造封装内最底层的基础裸片，然后将多层 DRAM 裸片堆叠在基础裸片上。

（HBM3E 演示视频，来源：SK 海力士）

两家公司在公告中表示，从 HBM4 产品开始，准备用台积电的先进逻辑工艺来制造基础裸片。通过超细微工艺增加更多的功能，公司可以生产在性能、共享等方面更满足客户需求的定制化 HBM 产品。另外，双方还计划合作优化 HBM 产品和台积电独有的 CoWoS 技术融合（2.5D 封装）。

通过与台积电的合作，SK 海力士计划于 2026 年开始大规模生产 HBM4 芯片。作为英伟达的主要供应商，海力士正在向 AI 龙头提供 HBM3 芯片，今年开始交付 HBM3E 芯片。

对于台积电而言，AI 服务器也是在消费电子疲软、汽车需求下降的当下，维持公司业绩的最强劲驱动因素。台积电预计 2024 财年的总资本支出大约在 280-320 亿美元之间，约有 10% 投资于先进封装能力。

三巨头激战 HBM 市场

根据公开市场能够找得到的信息，目前国际大厂里只有SK 海力士、美光科技和三星电子有能力生产与 H100 这类 AI 计算系统搭配的 HBM 芯片。而眼下，这三家正隔着太平洋展开激烈的竞争。

大概比 SK 海力士早大半个月，美光科技也在今年宣布开始量产 HBM3E 芯片。今年 2 月，正在加紧扩展 HBM 产能的三星也发布了业界容量最大的 36GB HBM3E 12H 芯片。英伟达上个月表示正在对三星的芯片进行资格认证，以用于 AI 服务器产品。

研究机构 Trendforce 估算，2024 年的 HBM 市场里，SK 海力士能够占到 52.5% 的份额，三星和美光则占 42.4% 和 5.1%。另外，在动态随机存取存储器（DRAM）行业内，HBM 的收入份额在 2023 年超过 8%，预计在 2024 年能达到 20%。

对于 SK 海力士与台积电合作一事，普华永道高科技行业研究中心主任 Allen Cheng 认为是 " 明智的举措 "。他表示：" 台积电几乎拥有所有开发尖端 AI 芯片的关键客户，进一步加深伙伴关系，意味着海力士能吸引更多的客户使用该公司的 HBM。"