今天 SK 海力士宣布，为应对用于人工智能（AI）的半导体需求的大幅度增长，决定扩充人工智能基础设施的核心产品，即 HBM 等新一代 DRAM 的生产能力。SK 海力士认为，提高以 HBM 为主的 DRAM 产能是其面临的首要问题。

随着人工智能时代的到来，半导体业界认为 DRAM 市场进入了中长期增长时代。SK 海力士预计 HBM 的年均增长率将达到 60% 以上，以面向服务器的高容量 DDR5 模块为主的普通 DRAM 产品需求也将持续增加。在此趋势下，要想确保 HBM 产品的产量达到与普通 DRAM 相同的水平，则至少需要相对于普通 DRAM 至少两倍以上的生产能力。

SK 海力士的董事会已经通过决议，将建设在韩国忠清北道清州市的 M15X 定为新的 DRAM 生产基地，并决定投资约 5.3 万亿韩元（约合人民币 279.84 亿元）建设厂房。SK 海力士打算加快新工厂的建设工程速度，将于本月末开工，计划于 2025 年 11 月竣工并开始量产。在这段时间里，SK 海力士将依次进行设备投资，计划超过 20 万亿韩元（约合人民币 1056 亿元）进一步扩充产能。

此前 SK 海力士决定在位于韩国京畿道中部的龙仁市建设新的半导体生产园区，其中包括四座独立的晶圆厂，目前正在做开工前的准备工作。该园区首座晶圆厂计划在 2027 年完工，在此之前，清州 M15X 厂将承担生产新一代 DRAM 产品的任务。