上个月英特尔晶圆代工（Intel Foundry）宣布，已在美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔半导体技术研发基地完成了业界首台 High-NA EUV 光刻机组装工作。随后开始在 Fab D1X 进行校准步骤，为未来工艺路线图的生产做好准备。

据 The Elec报道，目前 ASML 每年 High-NA EUV 光刻机的产能大概在 5 到 6 台，今年生产的这些设备将全部运往美国的芯片制造商，而英特尔已经获得了明年上半年之前生产的大部分 High-NA EUV 光刻机，这很大程度上得益于新设备出现时，英特尔选择了抢先下单。三星和 SK 海力士明年也将得到 High-NA EUV 光刻机，预计在明年下半年。

High-NA EUV 光刻机是具有高数值孔径和每小时生产超过 200 片晶圆的极紫外光大批量生产系统，用于制造 3nm 以下的芯片。其提供了 0.55 数值孔径，与此前配备 0.33 数值孔径透镜的 EUV 系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。此前有报道称，一台 High-NA EUV 光刻机的价格大概为 3.8 亿美元，是 EUV（约 1.83 亿美元）的两倍多，ASML 目前收到的订单数量在 10 至 20 台之间。

去年末，ASML 向英特尔交付了首台 High-NA EUV 光刻机，型号为 TWINSCAN EXE:5000 的系统。High-NA EUV 光刻技术将在先进芯片开发和下一代处理器的生产中发挥关键作用，英特尔打算在 Intel 14A 工艺引入，最快会在 2026 年到来。