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国产光刻胶通过量产验证:120nm分辨率 配方全自主设计
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快科技 10 月 15 日消息,据 " 中国光谷 " 公众号,日前,武汉太紫微光电科技有限公司(以下简称 " 太紫微公司 ")推出的 T150 A 光刻胶产品,通过半导体工艺量产验证。

T150 A 光刻胶实现配方全自主设计,对标国际头部企业主流 KrF 光刻胶系列。

据介绍,相较于国外同系列产品 UV1610,T150 A 在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到 120nm,且工艺宽容度更大,稳定性更高,坚膜后烘留膜率优秀。

通过验证发现 T150 A 中密集图形经过刻蚀,下层介质的侧壁垂直度表现优异。

资料显示,太紫微公司成立于 2024 年 5 月,由华中科技大学武汉光电国家研究中心团队创立。

光刻胶又称光致抗蚀剂,是指通过紫外光、电子束、离子束、X 射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。

光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。

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