（全球 TMT2024 年 10 月 29 日讯）德州仪器 ( TI ) 近日宣布，其基于氮化镓 ( GaN ) 的功率半导体已在日本会津工厂投产。随着会津工厂的加入，德州仪器的 GaN 功率半导体自有制造产能提升至原来的四倍。公司成功验证了 8 英寸 GaN 技术并将开始大规模生产，这种制造方式具有显著的可扩展性和成本优势，有助于扩大 GaN 芯片自有制造。到 2030 年自有制造产能将增至 95% 以上。

作为硅的替代品，GaN 是一种在能源效率、开关速度、电源解决方案尺寸和重量等方面颇具优势的半导体材料。德州仪器提供品类齐全的 GaN 集成功率半导体，涵盖低压和高压类别，可助力打造高能效、高可靠性且高功率密度的电子产品。德州仪器采用先进的 GaN 芯片制造设备，其新增产能提升了产品性能、制造工艺效率并带来成本优势。此外，德州仪器在提升 GaN 产能过程中采用了更先进、更高效的机台，可以生产出体积更小但是功率更大的芯片。公司还开展了在 12 英寸晶圆上开发 GaN 制造工艺试点项目。