财联社 11 月 4 日讯(编辑 黄君芝)SK 海力士董事长崔泰源(Chey Tae-won)周一表示,英伟达 CEO 黄仁勋已要求他将该公司下一代高带宽内存芯片 HBM4 的供货时间提前六个月。
他在首尔举行的集团 AI 峰会上表示,SK 海力士正在与英伟达合作解决供应瓶颈问题。SK 海力士去年 10 月曾表示,计划在 2025 年下半年向客户供应这种芯片。
崔泰源表示,这一时间表比最初的目标要快,但没有进一步说明。
有分析指出,黄仁勋要求加快交付速度,凸显了市场对英伟达用于开发人工智能技术的更高容量、更节能 GPU 的强劲需求,而这些 GPU 将包含新的 HBM 芯片。
目前,英伟达占据了全球人工智能芯片市场 80% 以上的份额。
此外,SK 海力士在周一还透露下代产品的最新进展,该公司将于 2025 年初推出 16 层 HBM3E 芯片,12 层 HBM3E 芯片已于 9 月开始量产。同时它计划在 2028 年至 2030 年间推出 HBM5 芯片。
到目前为止,SK 海力士一直是高带宽内存(HBM)领域的 " 领头羊 "。HBM 芯片有助于处理大量数据,以训练人工智能技术,对英伟达的芯片组至关重要。市场需求十分火爆。不过与此同时,来自三星电子和美光科技等对手的竞争越来越激烈。
HBM 是一款新型的 CPU/GPU 内存芯片,简而言之就是将很多个 DDR 芯片堆叠在一起后和 GPU 封装在一起,实现大容量、高位宽的 DDR 组合阵列。HBM 能够实现大模型时代的高算力、大存储的现实需求。因此,HBM 正逐渐成为存储行业巨头实现业绩反转的关键力量。
而且,值得注意的是,HBM 产能已成为人工智能芯片供应的一个瓶颈,例如 SK 海力士的产能到 2025 年已基本 " 售罄 ",而三星 HBM 产品仍在寻求获得英伟达测试通过。
不过,在前些天的财报电话会议上,三星内存业务执行副总裁 Jaejune Kim 表示,在与一家主要客户——英伟达资格认证过程的关键阶段,三星取得了 " 重要 " 进展。
Kim 提到,三星现在预计公司将在第四季度出售其最先进的 HBM3E 内存芯片。他说," 英伟达作为 HBM 厂商的最大客户,三大存储芯片厂商都在尽全力争取其订单,而现在最先进的 HBM 产品就是 HBM3E。"
三星电子还计划在明年下半年生产下一代 HBM4 产品。
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