最近存储器巨头三星和 SK 海力士都发布了季度财报，在财报电话会议上，均强调了接下来会将重点转移到高利润的高端产品上，同时可能会减少 DRAM 和 NAND 闪存的产量，特别是传统类型的产品。

据 TrendForce报道，长鑫存储（CXMT）等中国竞争对手正在崛起，而且不断提高 DDR4 和 LPDDR4X 等传统存储芯片的产量。据了解，长鑫存储已经将其 DRAM 月产能从 2020 年的 40,000 片晶圆提高到 160,000 片，预计到今年年底，将进一步提高到 200,000 片，预计 2025 年将提升至 300,000 片。这使得三星和 SK 海力士在同类产品上面临较大的价格压力，也促使两大存储器巨头开始大幅度削减传统存储芯片的产量。

有消息人士透露，在最近与高盛的投资者关系会议上，SK 海力士表示计划到今年年底前，将 DDR4 的产量占比降至 DRAM 总产量的 20%，低于 6 月的 40% 和 9 月 30%。此前三星设备解决方案（DS）部门执行副总裁 Kim Jae-joon 也确认了，将执行减少传统 DRAM 和 NAND 闪存芯片产量的计划。同时三星和 SK 海力士都强调了，会将焦点转移到 HBM 和 eSSD 这类高利润产品。目前 PC DRAM 的销售一直停滞不前，而来自服务器的订单带来了强劲的需求，预计这种趋势会在明年延续。

有分析机构表示，全球存储器供应将持续过剩。SK 海力士打算加快位于无锡的旧 DRAM 生产设备升级，引入 1 α nm（第四代 10nm 级别）生产线，另外位于大连的 NAND 闪存生产线正在接近满负荷生产，以供应市场所需要的 eSSD。