财联社 3 月 19 日讯（编辑 周子意）韩国半导体巨头 SK 海力士周三（3 月 19 日）宣布，已向英伟达等主要客户交付了其第六代高带宽存储芯片产品—— 12 层 HBM4 的样品。这一最新进展标志着先进内存解决方案的竞争进入了关键时刻。

12 层 HBM4 产品拥有人工智能存储器所需的无与伦比的速度、以及基于 12 层标准的最高容量，行业评价其为 " 技术奇迹 "。

它每秒可以处理超过 2TB 的数据，相当于在一秒钟内处理 400 多部全高清电影的数据，比上一代 HBM3E 快了 60% 以上，这种惊人的速度是通过将数据传输走线从 1,024 条增加到 2,048 条来实现的。

此外，SK 海力士 12 层 HBM4 的最新进展还标志着该公司与台积电结盟后的首个成果。目前，台积电能够生产控制 HBM4 底部数据移动的基模。

SK 海力士社长兼首席营销官 Kim Joo-sun 强调了坚持创新的承诺，称 " 我们一直在克服技术限制，以满足客户的需求。"

下半年完成批量生产

SK 海力士从第三代产品 HBM2E 开始便采用先进的 MR-MUF 工艺，在该产品实现 36GB 容量方面发挥了关键作用。该工艺到目前还提高了散热和产品稳定性，解决了大容量存储器生产的技术挑战。

自其 2022 年推出 HBM3（第四代）以来，SK 海力士在 HBM 市场的领先地位一直没有动摇。后来又于 2024 年成功量产第五代 HBM3E 的 8 层和 12 层产品。

此外，SK 海力士此次还表示，该公司计划在今年下半年完成 12 层 HBM4 批量生产的准备工作。

应主要客户英伟达首席执行官黄仁勋的要求，12 层 HBM4 的生产计划比原计划提前了 6 个月，这突显出市场对尖端存储技术的需求日益增长。

SK 海力士和英伟达稳定的合作关系也证明了人工智能和高性能计算技术的进步推动了需求的增长。由于英伟达在 GPU 和人工智能技术领域处于领先地位，投产的加速反映了业界对支持尖端应用的更快，更高效的内存解决方案的推动。