三星在 2022 年 6 月末量产了 3nm 工艺，采用了全新的 GAA（Gate-All-Around）晶体管架构，这也是该技术的首次实际应用，取代自 2011 年推出 FinFET 晶体管架构。台积电（TSMC）在 3nm 制程节点上并没有像三星那样引入 GAA 晶体管架构，要等到新一代 2nm 制程节点才引入。英特尔也将在即将到来的 Intel 18A 中，引入类似设计的 RibbonFET 晶体管架构。

据 EE Times报道，最近英伟达创始人兼首席执行官黄仁勋在 GTC 2025 与媒体互动的问答环节中表示，依赖于 GAA 晶体管架构的下一代半导体制程技术会为芯片带来 20% 的性能提升，而更大的性能提升来自于 GPU 架构和软件的创新设计。

黄仁勋强调摩尔定律放缓，新一代制造工艺只会带来 20% 左右的改进，虽然先进制程技术受到了欢迎，但是不再具有变革性，其他因素变得更加重要，大家需要接受这一点。现在数据中心越来越关注每瓦性能，这与近年来出现的 " 我们处于物理极限 " 这个话题无关。

该讨论是现场有人提问英伟达未来是否会选择三星代工时出现的，而黄仁勋回答时没有说明参照的具体工艺甚至代工厂。按照过去台积电的说法，相比 3nm 工艺，初代 2nm 工艺会带来 10% 到 15% 的性能提升，或者将功耗降低 25% 到 30%。

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