快科技 4 月 2 日消息，近日举办的 Intel Vision 2025 大会上，Intel 正式宣布其 Intel 18A 工艺制程技术已进入风险生产阶段。

Intel 代工服务副总裁 Kevin O'Buckley 在 Intel 即将全面完成其 " 四年五个节点（5N4Y）" 计划之际宣布了这一消息。

该计划最初由前 CEO 帕特 · 基辛格（Pat Gelsinger）所规划，是该公司预计从竞争对手台积电手中夺回半导体王位的一部分。

Kevin O'Buckley 表示，风险试产虽然听起来很可怕，但实际上是一个产业的标准术语。 风险试产的重要性在于我们已经将技术发展到了可以量产的程度。

他还强调，Intel 已经生产了大量 Intel 18A 测试芯片。 相较之下，风险试产包括将完整的芯片设计晶圆投少量生产，再通过调整其制造流程，并在实际生产运作中验证节点和制程设计套件（PDK）。据悉，Intel 将在 2025 年下半年扩大 Intel 18A 的产量。

31 日举办的 Intel Vision 开幕活动中，Intel 新任 CEO 陈立武宣布，18A 工艺技术仍按计划进行，接近第一批外部流片，预计今年下半年首发该工艺的 Panther Lake 处理器将进行大批量生产。

据悉，Intel 的下一代面向移动端笔记本的 Panther Lake 将于 2025 年下半年发布（预计命名为酷睿 Ultra 300 系列）。

公开资料显示，Intel " 四年五个节点 " 计划是该公司在 2021 年 7 月提出的半导体制造战略，目的是通过四年时间（2021-2025 年）推出五个制程节点，重塑其在先进制程领域的领先地位。

2010 年代后期，Intel 在 10nm/7nm 节点遭遇多次延迟，而台积电、三星通过 EUV 技术快速推进 3nm/2nm 制程，导致 Intel 在移动端和服务器市场份额被蚕食。

2021 年帕特・基辛格接任 CEO 后，提出 " 集成设备制造商（IDM）2.0" 战略，强调自主制造能力与代工服务并重。" 四年五个节点 " 计划成为 IDM 2.0 的核心载体，目标是到 2025 年通过五个节点实现制程反超。

为更准确反映性能与能效提升，Intel 放弃传统的 nm 命名法，改用 Intel 7/4/3/20A/18A 的新命名体系。20A 工艺等效 2nm 级，18A 则等效于 1.8nm 级。

2024 年 9 月，Intel 宣布，18A 工艺进展顺利且超过预期，Arrow Lake 高性能处理器原定采用的 20A 工艺已经取消，改为外部代工制造。

18A 工艺在 20A 的基础上打造，将成为首款同时采用 PowerVia 背面供电和 RibbonFET 环绕式栅极（GAA）晶体管技术的芯片。

其中，PowerVia 提供优化的电源布线，可提高性能和晶体管密度，而 RibbonFET 能够精确控制晶体管沟道中的电流，在减少功耗方面发挥着重要作用，同时还能实现芯片组件的进一步小型化。

按照 Intel 的愿景，18A 将是其反超台积电、重夺半导体工艺世界第一的关键节点。