快科技 4 月 9 日消息，据媒体报道，近日，Ferroelectric Memory Co.（FMC）与 Neumonda 宣布建立合作伙伴关系，致力于将一种名为 "DRAM+" 的新型内存架构推向市场。

这种内存技术将 DRAM 的高速性能与非易失性数据保留能力相结合，解决了高速 DRAM 与 NAND 闪存等存储之间的性能差距。

DRAM+ 技术的核心在于用铁电氧化铪（HfO2）元件替代传统 DRAM 中的电容器，HfO2 元件能够在无需电源的情况下持久存储数据，还能保持纳秒级的访问速度。

与过去使用的锆钛酸铅（PZT）相比，HfO2 具有更高的可扩展性，能够与现有的半导体制造工艺兼容，支持 10 纳米以下的制造工艺，并实现千兆位级别的存储密度。

FMC 的 DRAM+ 技术主要针对需要持久性、低功耗和高性能的特定应用，如 AI 加速器、汽车电子控制单元（ECU）以及医疗植入物等。

通过消除传统的刷新周期，DRAM+ 能够显著降低静态功耗，相比传统单晶体管 / 单电容器 DRAM 单元更具优势。

Neumonda 将为 FMC 提供其先进的测试平台套件 Rhinoe、Octopus Raptor，用于电气特性和分析，不过双方尚未公布商用 DRAM+ 产品的具体生产时间表。