快科技 4 月 17 日消息，日前，复旦大学宣布，时隔 2 周，继二维半导体芯片之后，复旦集成电路领域再获关键突破。

据介绍，复旦大学周鹏、刘春森团队通过构建准二维泊松模型，在理论上预测了超注入现象，打破了现有存储速度的理论极限，研制 " 破晓（PoX）" 皮秒闪存器件。

其擦写速度可提升至亚 1 纳秒（400 皮秒），相当于每秒可执行 25 亿次操作，性能超越同技术节点下世界最快的易失性存储 SRAM 技术。

相关成果以《亚纳秒超注入闪存》为题在《自然》期刊上发表。

据了解，这是迄今为止世界上最快的半导体电荷存储技术，实现了存储、计算速度相当，在完成规模化集成后有望彻底颠覆现有的存储器架构。

在该技术基础上，未来的个人电脑将不存在内存和外存的概念，无需分层存储，还能实现 AI 大模型的本地部署。

团队将 " 破晓 " 与 CMOS 结合，以此打造出的 Kb 级芯片目前已成功流片，下一步，计划在 3-5 年将其集成到几十兆的水平，届时可授权给企业进行产业化。