（图片来源：林志佳拍摄）

4 月 22 日消息，市场传三星电子通知客户于 2025 年 4 月终止 1z 制程 8Gb LPDDR4 存储器生产（End of Life），并要求客户在 6 月前完成最后买进订单，预计最迟于 10 月前出货，主要原因是国内手机 LPDDR4 存储芯片订单转到本土工厂制造，三星将聚焦 LPDDR5 以上的高端产品。

对此传闻，4 月 22 日中午，三星半导体方面对钛媒体 AGI 独家回应称：不评论业界传言，生产在按序进行。

据悉，CFM 闪存市场数据显示，在 AI 服务器的强劲需求带动下，2024 年，全球 DRAM 和 NAND 闪存销售收入创 1670 亿美元的历史新高，比上一年涨 85.53%，但去年第四季度，全球 NAND 闪存规模却减少 8.5%，至 174.1 亿美元。预计 2025 年，全球存储市场产值预计仅实现 2% 的微幅增长。

在 DRAM（动态随机存取存储器）方面，2024 年 DRAM 市场规模达到 970 亿美元，容量达到 2500 亿 Gb，其中，HBM 热潮成为 DRAM 市场的一大亮点。

CFM 闪存市场预计，到 2025 年，随着三星、美光、SK 海力士等多家公司的 HBM4 将量产落地，HBM 产品在全部 DRAM 产业中的占比将接近 30%，市场将达到 2880 亿 Gb 当量，并且在服务器内存消耗方面，其应用还在持续增长。

财报显示，2024 年，三星电子公司实现收入 300.9 万亿韩元  （约 1.52 万亿元人民币），同比增长 16%；而归母净利润则飙升至 33.6 万亿韩元  （约 1692.43 亿元人民币），同比增长 131%。其中，三星内存业务成为主要增长引擎，销售额达 84.5 万亿韩元，同比增长 91%，HBM 及 DDR5 产品贡献显著。

目前，三星主要瞄向中高端 DRAM 存储和 NAND 闪存芯片市场。据公开报道，2025 年，三星将 HBM3E 产能提升三倍，并将 QLC SSD 的市场占比目标设定为 30%，相比 2024 年的 15% 大幅提高。同时，公司计划减少超过 20% 的传统 DRAM 产能，转向生产 LPDDR5x 及 HBM 等高端产品。

今年 1 月，HBM4 内存已经准备采用 4nm 试产，待完成逻辑芯片最终性能验证后，三星将提供 HBM4 样品验证。

三星电子表示，这一强劲表现得益于对存储芯片的强劲需求，包括用于 AI 服务器和固态硬盘（SSD）的存储芯片。"HBM、DDR5 等以服务器为中心的产品销售扩大，同时公司积极应对生成式 AI 服务器用高附加值产品的需求，使得业绩较上季度大幅改善。"

里昂证券 ( CLSA ) 分析认为，数据中心和 AI 开发需求推动内存芯片的平均价格较上一季度上涨了 15%，这帮助三星最大的部门扭转了上年同期亏损。美银预计，三星 2025 年的 HBM3e 销售预计达 24 亿美元，占 HBM 总销售额的 34%。

（本文首发于钛媒体 App，作者｜林志佳）