近日台积电（TSMC）举办了 2025 年北美技术论坛，SK 海力士也在这次活动上首次公开展示了 HBM4 技术。台积电与 SK 海力士就下一代 HBM 产品生产和加强整合 HBM 与逻辑层的先进封装技术密切合作，其中台积电将负责生产用于 HBM4 和 HBM4E 的基础裸片（Base Die），原本采用 N5 和 N12FFC+ 工艺，不过应英伟达的要求，会将 N5 改成更先进的 N3 工艺。

HBM 解决方案是 SK 海力士在台积电 2025 年北美技术论坛的重点展示部分，主要是 12 层堆叠的 HBM4 和 16 层堆叠的 HBM3E。早在 3 月，SK 海力士已经宣布成为全球首个向主要客户供应 HBM4 的存储器厂商，并计划 2025 年下半年完成量产工作。

HBM4 属于第六代 HBM 产品，英伟达将是 SK 海力士的首个客户，用于明年的 Rubin 架构数据中心 GPU 上。SK 海力士引入了在 HBM3E 获得认可的 Advanced MR-MUF 工艺，从而在现有 12 层堆叠上达到了最大 36GB 容量，I/O 接口速度达 8Gbps，带宽可提高至 2TB/s。新工艺不但能控制芯片的翘曲现象，还有效提升了散热性能，由此最大程度地提高了产品的稳定性。

据了解，SK 海力士下一步打算带来 16 层堆叠的 HBM4，容量可进一步提高至 48GB。