盖世汽车 05-06
英飞凌推出适用于汽车和工业电力电子的超低RDS(on)CoolSiC™ MOSFET 750 V G2
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盖世汽车讯 4 月 29 日,英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)推出全新 CoolSiC ™ MOSFET 750 V G2 技术,旨在提升汽车和工业电源转换应用的系统效率和功率密度。CoolSiC MOSFET 750 V G2 技术可提供精细化的产品组合,在 25 ℃时的典型导通电阻 ( RDS ( on ) ) 高达 60 m Ω,适用于各种应用,包括车载充电器(OBC)、DC-DC 转换器、电动汽车辅助设备(xEV),以及电动汽车充电、太阳能逆变器、储能系统、电信和开关电源(SMPS)等工业应用。

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