今年初有报道称，三星将从第 10 代 V-NAND 闪存开始，采用长江存储（YMTC）的专利混合键合技术。三星的目标是在 2025 年下半年开始量产第 10 代 V-NAND 闪存，预计总层数达到 420 层至 430 层。除了 NAND 闪存芯片引入混合键合技术，三星还打算扩展到 DRAM 芯片。

据 EBN报道，三星已经将混合键合技术引入到第六代 HBM 产品，也就是 HBM4，早于竞争对手 SK 海力士。这不仅显著改善了发热问题，而且还明显提升了 I/O 数量。随着堆叠层数的增加，需要缩小芯片之间的间隙，引入混合键合技术可以缩小间隙，满足需要更多垂直堆叠层数的 HBM 产品的生产。

目前 SK 海力士采用的是 MR-RUF 技术，将半导体芯片附着在电路上，使用 EMC（液态环氧树脂模塑料）填充芯片之间或芯片与凸块之间的间隙。相比之下，三星和美光使用的是 TC NCF 技术，需要高温高压将材料固化再熔化，然后进行清洗。这个过程涉及 2-3 个步骤，而 MR-RUF 技术可以在不需要清洗的情况下一步完成整个过程。

混合键合是一种 3D 集成技术，使用特殊材料填充和连接芯片，不需要凸块。这种材料类似于液体或胶水，将提供散热和芯片保护，从而实现更薄的整体芯片堆栈。与传统的基于凸块的堆叠相比，具有更低的电阻和电容、更高的密度、更好的热性能、以及更薄的 3D 堆栈。

不过混合键合技术现阶段也存在一些问题，比如成本较高，所需的专用设备比传统封装工具贵得多，并且需要更多的晶圆厂物理空间。这样会影响资本效率，尤其是在晶圆厂占地面积有限的情况下，这也是存储器供应商谨慎行事的主要原因之一，因此 SK 海力士暂时也只是将混合键合作为备用工艺。