快科技 5 月 15 日消息，据媒体报道，苹果正在为 20 周年 iPhone 研发多项创新技术，其中 HBM 内存被视为关键发展方向之一。

据悉，HMB 全称是 High Bandwidth Memory，中文名为 " 高带宽内存 "，这是一种全新的基于 3D 堆栈技术的高性能 DRAM。

它能提高数据吞吐量，同时降低功耗并缩小内存芯片体积，目前主要应用于 AI 服务器，苹果希望通过将移动 HBM 与 iPhone 的 GPU 单元连接来增强设备端 AI 能力，这项技术对于端侧 AI 大模型至关重要，可避免电量过快耗尽，还能降低延迟。

具体来说，HBM 采用 TSV 工艺进行 3D 堆叠，有效提升带宽，实现更高的集成度，通过与处理器相同的 "Interposer" 中间介质层与计算芯片实现紧凑连接，一方面既节省了芯片面积，另一方面又显著减少了数据传输时间。

报道称苹果已与三星电子和 SK 海力士等主要内存供应商讨论该计划，三星正在开发名为 VCS 的封装方案，而 SK 海力士则采用 VFO 技术，两家公司都计划在 2026 年后量产。

不过移动 HBM 面临诸多挑战，一是制造成本远高于现有的 LPDDR 内存，二是 iPhone 是一款轻薄设备，散热是一项重要挑战；三是 3D 堆叠和 TSV 工艺采用高度复杂的封装工艺，良率也是一大挑战。

若苹果在 2027 年 iPhone 产品线中采用这项技术，这将成为 20 周年纪念机型的又一创新之举，传闻这款里程碑产品还将配备完全无边框的显示屏，展现苹果在智能手机领域持续突破的决心。