【CNMO 科技消息】据韩媒报道，苹果正计划在 2027 年推出的 iPhone 系列（包含 20 周年纪念机型）中首次引入移动高带宽内存（HBM）技术，这项突破性升级有望使人工智能处理速度实现指数级提升。知情人士透露，苹果已着手重新设计应用处理器架构，并可能将 HBM 直接连接至图形处理器单元（GPU），这一配置方案与苹果自研芯片 Mac 的 " 统一内存 " 架构异曲同工。

供应链消息显示，三星电子与 SK 海力士两大存储巨头正在加速研发移动端 HBM 封装技术。三星采用 " 垂直铜柱堆叠 " ( VCS ) 方案，SK 海力士则开发 " 垂直线路扇出 " ( VFO ) 技术，双方预计 2026 年后实现量产，届时将为争夺苹果订单展开激烈竞争。

除了内存革命，20 周年纪念款 iPhone 还将带来多项创新：

显示技术：采用 16 纳米 FinFET 工艺的 OLED 驱动芯片，功耗降低 30%；四面无边框设计或成现实，三星专供的 M16 显示材料有望消除屏幕黑边

影像突破：通过透明聚酰亚胺基板与特殊透镜技术，解决屏下摄像头光学损耗难题

电池革新：100% 硅基阴极材料将取代石墨，在提升能量密度的同时支持更强 AI 算力

业内人士分析，此次升级标志着苹果在移动 AI 竞赛中加码硬件军备。通过 HBM 技术，iPhone 处理器可突破传统 LPDDR 内存的带宽限制，实现最高 320GB/s 的数据传输速度，这对需要实时处理大量数据的生成式 AI 应用至关重要。