《科创板日报》5 月 29 日讯（记者 郭辉） 5 月 27 日上午 10 点，中微公司举行 2024 年度暨 2025 年第一季度业绩说明会。

会后，中微公司董事长、总经理尹志尧接受了投资者提问及媒体专访，对中微公司未来 5 到 10 年的产品战略、人才团队建设及接班人培养、产业突破封锁路径及前景等话题进行了解答。

中微公司董事长、总经理尹志尧

聚焦主业：刻蚀、薄膜设备订单快速起量

等离子体刻蚀设备和薄膜沉积设备是除了光刻机以外非常重要、也是市场空间广阔的关键设备。 " 这是因为刻蚀需要几百种不同材料，精雕细琢刻成各种不同形状，CCP（高能等离子体刻蚀机）跟 ICP（低能等离子体刻蚀机）设备加起来大概有 300 多种不同的应用。"

" 尤其是在芯片工艺从 2D 到 3D 发展，以及 10nm 以下的制程升级，刻蚀跟薄膜的应用总量跟步骤数大大增加，近年市场体量的增长很快。"中微公司董事长、总经理尹志尧在 5 月 27 日举行的业绩说明会上介绍称。

从 2019 年至 2024 年，中微公司的等离子体刻蚀设备收入以年均超过 50% 的速度快速成长。其中，中微公司 CCP 设备做了 20 年、ICP 不到 10 年，但 ICP 设备近两年连续以超过 100% 的速度实现增长，二者的订单体量如今已经十分接近。

在过去的 20 年间，中微公司共计开发了 3 代、18 款刻蚀机，产品开发节奏不断加快，并且应用于主流客户及产品市场。

中微公司在业绩说明会上展示的刻蚀机产品序列

尹志尧表示，" 可以很自豪地讲，在等离子体刻蚀领域，我们基本可以全面覆盖（不同应用），包括成熟及先进逻辑器件、闪存、动态存储器、特殊器件等，并且已经有 95% 到 99% 的应用都有了批量生产的数据或客户认证的数据。"

工艺精度上，中微公司 ICP 刻蚀机 Twin-star 两台的加工精度已经进入皮米数量级，达到 100 皮米以下水平；双台刻蚀机实现原子、亚原子水平刻蚀控制，达到全球先进水平。目前业内量产所用刻蚀机的深宽比在 60:1，中微公司正在突破 90 到 100:1 的深孔刻蚀。

以我国先进存储行业的应用为例，得益于高精度的设备工艺，中微公司产品为行业解决了其中 5 大最为关键的卡脖子设备。

除刻蚀设备外，中微公司自 2010 年开始不断开始扩大在薄膜设备领域的开发应用。开发策略是从 MOCVD 切入，到近几年开始集中力量开发 LPCVD，接着做外延 EPI 设备、原子层沉积 ALD 设备，目前已经开始开发包括了 PVD、ALD 和 LPCVD 的大规模集成设备，并且也在利用新一代等离子体源开发 PECVD 设备。

据介绍，中微公司规划了近 40 种导体薄膜沉积设备的开发。其中 9 种设备已经完成开发，6 款实现量产运转 1 年，今年计划将完成 7 种设备开发。

" 我们很快将会把国际对国内禁运的 20 多种薄膜设备开发完成，预计到 2029 年完成所有开发 "。尹志尧如是称。

中微公司设备产品在投入市场后迅速受到产业欢迎。据介绍，以 LPCVD 跟 ALD 钨金属沉积设备为例，近两年实现快速放量，2023 年订单还只有 1 台，2024 年就发货 128 台，到 2025 年预计将大幅增长。

" 虽然公司薄膜设备现在的销售额还不到 10 亿，但相信 3 年到 5 年之内，预计至少成长到公司现在刻蚀设备一半的规模，达到同等数量级。"

详解平台化布局 自研 + 外延同时发力

与国际领先的半导体设备公司发展战略一样，中微公司也在规划平台化布局。

据尹志尧介绍，目前中微可以覆盖 30% 的集成电路设备。而在今后五到十年内，中微公司将与合作伙伴共同覆盖 60% 的集成电路高端设备，包括刻蚀、薄膜及量检测的全部设备，以及一部分湿法设备，成为平台式的集团公司。

中微公司在业绩说明会上展示的产品规划

尹志尧表示， " 中微公司从来都是有机生长（自研）跟外延扩张相结合。我们的基点在技术而不在并购，光靠并购做大的公司根基不稳，核心还是要增加自己的本事。"

以量检测设备为例，中微公司七、八年前就已经开始布局，其中电子束量检测设备事关国内产业的先进制程工艺开发，也是一大短板。据介绍，目前国内已经有多家公司做电子束检测，不过中微公司没有选择向外做并购，而是寻找全球该领域的顶级专家，自己组建团队，计划快速把电子束检测设备快速做起来。

在集成电路设备之外，中微公司刻蚀薄膜技术，还可向外扩展至 6 大类的泛半导体微观加工设备，包括平板显示设备、太阳能电池设备、发光二极管设备、微机电系统设备（MEMS）、功率器件及其他、3D 先进封装及 Chiplet。

据介绍，在宽禁带化合物半导体外延设备市场，中微公司开发了多种 MOCVD 设备。其中，碳化硅功率器件外延设备目前已经进入生产验证阶段，氮化镓 Micro LED 蓝绿光设备已经被核准并进入生产，氮化镓功率器件外延设备、砷化镓红黄光设备将在今年进入生产。

中微公司还在大平板设备方面进行了多年的研究开发。尹志尧表示，大平板设备体积较大，且设备开发成本昂贵，不适合中小规模的半导体设备公司开发，并且相关设备直至近两年才由于国际供应形势变化受到业内关注，算是从 0 起步。中微公司之所以选择做大平板设备，在于其薄膜、沉积、量检测技术环节都涉及新的技术工艺，包括玻璃基板、面板级先进封装开发等产业趋势以及智能玻璃等终端应用，" 目前来看这一市场非常有前景 "。

中微公司大平板显示 PECVD 等离子体加强的化学薄膜设备用时 15 个月完成开发，样机用时 1 年开始运行，用时 3 个月设备工艺达到 LCD 及 OLED 的量产指标。

在 5 月 27 日的业绩说明会后，尹志尧接受了多家投资机构及媒体的采访，分享了他在企业经营战略当中的经验和产业洞见。《科创板日报》整理了其中几条：

1.AI 技术正在半导体设备的研发中体现出价值，中微公司走在行业之前，现在有一个将近 50 人的团队专门搞 AI 算法，并参与到半导体设备的研发设计中，形成了几十个案例，加快了开发进展。

2. 半导体设备未来不能只靠一家公司。目前国内比较成熟的半导体设备公司正在快速发展，因为产品门类很多，现在的情况来看行业并不算 " 内卷 "，但即使没有外力推动，未来产业的趋势也是向头部少数几家企业集中，中微公司希望成为其中之一。

3. 国内大部分半导体设备公司还没有能力做自己的创新设计，开始学习的过程中模仿无可非议，但中微公司的产品从来都有自己的独特设计。

4. 如果没有 EUV，用 DUV 光刻机做到 5nm 没有问题，只是需要更多刻蚀薄膜的双重、多重曝光工艺环节，但到 3nm 能不能做还是个问号，对此我相信中国人的能力和志气。

5. 如果光刻机不能很快解决的话，我们刻蚀薄膜的主业可以做的事情就是结合多重曝光的技术，把制程做小，这也是我们的责任。

6. 并购政策推动下，这两年设备行业并购案例还不算多，可能在于政策还没有落到实处。建议提出并购方案的上市企业，可根据标的公司经营规划及业绩完成情况进行阶梯性的溢价收购，给予被并购公司在上市这条路径的至少 50% 回报，而且需要监管不追求商誉减值分析，才有更多公司愿意合起来干。